Длина - дрейф
Cтраница 2
Профили распределения фосфора и бора, представленные на рис. 5.3.2, получены с помощью ионного микроанализатора. Было найдено, что наличие атомов бора в / - слое увеличивает длину дрейфа фотосгенерированных дырок и что наибольшая эффективность преобразования в солнечном элементе со структурой ( ЖО / н - / - р / Нерж. [16]
 |
Контакт с обогащенным сломи и циэлокт-рическим зазором.| Контакт с инверсионным слоем ( с физическим р-п-пе-реходом.| Контакт с металлургическим р-п-пс-реходом. [17] |
При противоположном направлении тока поле выносит дырки в толщу полупроводника. Возникает э к с-к л ю з и я - удаление дырок от контакта; область эксклюзии простирается от контакта в глубь полупроводника на расстояние, растущее с ростом; и приближенно совпадающее с длиной дрейфа электронов в поле за время их жизни. Эксклюзия дырок сопровождается уходом такого же кол-ва электронов в контакт, так что область эксклюзии - область обеднения носителями обоих знаков. [18]
 |
Градиентный дргпф. Магнитное поло возрастает вверх. Дрцйфоиый ток направлен влево.| Центробежный дрейф. [19] |
Измерение длины дрейфа производится тем же методом, что и измерение диффузионной. [20]
Ионы в пакете обладают тепловым распределением по энергии, соответствующим темп-ре исходного газа. Это приводит к уширению пиков на коллекторе. При тех же длинах дрейфа разрешающая способность ( Л) масс-рефлектрона в неск. [22]
Запорный слой), к-рый ограничивает поток носителей, втекающих через него. Если носители вытекают из области, прилегающей к барьеру, с высокой скоростью благодаря дрейфу во внеш. Размер этой области близок к длине амбиполярного дрейфа. [23]
Опустим эти расчеты, они несложны, но громоздки. При малых полях Е распределение неравновесной концентрации определяется диффузионной длиной L. В области больших полей длина затягивания равна длине дрейфа, если полупроводник примесный. [24]
В приведенных примерах было принято, что решетка заряда задана. Следующим фактором, влияющим на частотную зависимость дифракционной активности, является механизм записи. Однако различные условия записи сводятся к появлению суперпозиции решеток. Так, в разделе 2.1 было показано, что при малых длинах дрейфа и диффузии результирующее распределение заряда можно представить как суперпозицию решеток положительных и отрицательных зарядов, сдвинутых друг относительно друга на длину дрейфа или диффузии. Поэтому полученные в данном разделе результаты можно использовать для анализа любых механизмов записи. [25]
Страницы: 1 2