Cтраница 1
![]() |
Влияние температуры и длительности прогрева на некоторые характеристики ПЭВД. [1] |
Исследования полиэтилена методом ИК-спектроскопии указывают на наличие в нем незначительного количества кислородсодержащих групп: 10 - 10 2 групп на 1000 атомов углерода. [2]
![]() |
Полимеризация этилена на алюмосиликате, промотированном совместно окисью никеля и окисью хрома. [3] |
Исследование полиэтилена, полученного на подобных каталитических системах, показало, что структура цепи полимера по существу аналогична структуре цепи, образующейся при сополимеризации этилена и бутена-1 на окиснохромовом катализаторе. Таким образом, бутен-1, образующийся в результате димеризации этилена на активных центрах окиси никеля, может выступать в роли сомономера при полимеризации на активных центрах окиси хрома. [4]
Исследование деитерированных полиэтиленов может пролить некоторый свет на механизм образования двойных связей и сшивания. Легко можно себе представить, что именно таких результатов и следовало ожидать, так как разница в энергиях связей С-D и С - Н очень мала по сравнению с энергией, выделяющейся при ионизации. Если бы были поставлены опыты по облучению полиэтилена, помеченного дейтерием в известных и определенных участках цепи, то они могли бы привести к более полноценным результатам. [5]
![]() |
Степень кристалличности полиэтиленов ( в %, определенная различными методами. [6] |
При исследовании полиэтиленов высокого давления, полученных на катализаторе Циглера, и линейного полиэтилена установлено [147], что с увеличением разветвленности возрастает размер пиков изоалканов, тогда как пики, соответствующие н-алканам для полиэтилена, полученного на катализаторе Циглера, сравнимы с пиками этих углеводородов для линейного полиэтилена. Это также дает возможность качественной оценки разветвленности полиэтиленов. [7]
![]() |
Зависимость максимальных пробивных напряженностей от сечений кабелей с полиэтиленовой изоляцией при кратковременном воздействии напряжения. [8] |
Проведенными Reynolds исследованиями полиэтилена на пластинах толщиной 1 мм показано, что присутствие водяных паров играет большую роль в электрохимическом разложении полиэтилена. Им было обнаружено образование кристаллов щавелевой кислоты на поверхности газовых включений. [9]
Приведены [119] результаты исследований полиэтилена различных марок и степеней кристалличности, которые облучали до дозы 360 Мрад потоком электронов с энергией 1 5 Мэв на воздухе при - 196 С. [10]
![]() |
Размеры элементарной ячейки этиленолефиновых сополимеров. [11] |
Эйхгорн [ 19] и Сван [20] методом рентгеновской дифракции провели исследования полиэтилена с различными сополимерами, включая пропилен, бутен-1, пен-тен-1, гексен-1 и гептен-1. В сополимере с пропиленовым сомономером был обнаружен существенный рост размера элементарной ячейки полиэтилена в направлении оси а. Подобный эффект, но выраженный значительно слабее, наблюдался и в сочетании с бутеном-1, и еще менее выраженный - при использовании пентена-1, гексе-на-1 и гептена-1. Шаг повторения вдоль оси Ь, как правило, увеличивался лишь незначительно. [12]
![]() |
Размеры элементарной ячейки этиленолефиновых сополимеров. [13] |
Эйхгорн [19] и Сван [20] методом рентгеновской дифракции провели исследования полиэтилена с различными сополимерами, включая пропилен, бутен-1, пен-тен-1, гексен-1 и гептен-1. В сополимере с пропиленовым сомономером был обнаружен существенный рост размера элементарной ячейки полиэтилена в направлении оси а. Подобный эффект, но выраженный значительно слабее, наблюдался и в сочетании с бутеном-1, и еще менее выраженный - при использовании пентена-1, гексе-на-1 и гептена-1. Шаг повторения вдоль оси Ь, как правило, увеличивался лишь незначительно. [14]
В настоящей работе с помощью инфракрасной фурье-спектроскопии ( ИКФС) проведено исследование полиэтилена высокой плотности в интервале температур от 78 К до комнатной. Полосы ИКС, характерные для кристаллической и аморфной фаз, чувствительны к изменениям температуры в окрестности хорошо известных релаксационных переходов. Чувствительность к таким переходам зависит как от природы образца, поглощающего ИК-излучение, так и от условий его приготовления. [15]