Исследование - электронная структура
Cтраница 2
Теория поля лигандов применяется для исследования электронной структуры соединений переходных металлов. В этом приближении донорные атомы схематически заменяются точечными зарядами или диполями. [16]
Метод УФЭС был использован также для исследования электронной структуры поверхностей металлов и сплавов. [17]
Ни один из ныне существующих методов исследования электронных структур - в том числе и мессбауэровский - не может дать исчерпывающий ответ о характере химической связи, и поэтому необходимо сопоставление и взаимное дополнение поставляемой ими информации - подобно тому, как это было продемонстрировано выше на примере мессбауэровских спектров и эффективных зарядов железа. Эффект Мессбауэра дает наиболее простую экспериментальную возможность наблюдения даже весьма слабых изменений ip ( 0) 2 величины, относительно слабо зависящей от макроскопической структуры образца, но весьма чувствительной к экранировке мессбауэровских ядер электронами различных молекулярных орбит. [18]
Очевидно также, что существенную роль для исследования электронной структуры соединений играют некоторые методы, которые не рассмотрены в настоящем обзоре. [19]
Фотоэмиссия представляет собой удобный и эффективный метод исследования электронной структуры самых различных объектов. [20]
В настоящем сообщении приводятся экспериментальные результаты по исследованию электронной структуры поверхности с помощью адсорбции различных молекул и эффекта поля. Основные результаты получены при изучении медленной релаксации эффекта поля и медленной релаксации при адсорбции. [21]
Прогнозирование гетерогенных катализаторов на квантовохими-ческом уровне может основываться на исследовании электронной структуры поверхностей твердых катализаторов, структуры хемо-сорбционных комплексов субстрат - катализатор или непосредственном изучении акта реакции на различных контактах. [22]
Приближение локальных колебаний, аналогичное методу связывающих орбиталей, который используется для исследования электронной структуры, позволяет произвести прямой анализ и дать разумное объяснение характера функции распределения частот и структуры спектра инфракрасного поглощения. [23]
 |
Зависимость туннельного тока между А. и РЬ через пленку А1. Ог от напряжения.| Зависимость относительной проводимости, соответствующей кривой 3 на 24, ( dJ / dU s / ( dJ / dL. от напряжения. [24] |
Джавером впервые была продемонстрирована возможность использования туннельного эффекта при малых напряжениях для исследования электронной структуры сверхпроводников. [25]
В главах IV и V рассмотрены области традиционного приложения метода дипольных моментов в органической химии: исследования пространственной и электронной структуры молекул. В отличие от предыдущих монографий и обзоров по дипольным моментам, материал систематизирован не по типам органических соединений, а по характеру структурных проблем: конформационный анализ, внутреннее вращение, различные типы электронных эффектов и др. Такой подход к обсуждению приложений метода, нам кажется, точнее соответствует духу современной физической органической химии. [26]
 |
Параметры, описывающие энергетическую зонную структуру при поверхностной области полупроводника р-типа. [27] |
Прежде всего отметим, что изучение электронной структуры поверхностей развивается по тем же двум основным направлениям, по которым идет исследование объемной электронной структуры твердых тел. [28]
Сказанное в третьей главе об определенных трудностям метода ЛКАО при описании состояний зоны проводимости совершенных кристаллов следует учитывать и при исследовании электронной структуры кристаллов с ЛЦ. [29]
В работе [18] выяснено, какие состояния кристалла необходимо прежде всего передать в рамках модели РЭЯ, с тем чтобы проанализировать спектр локальных состояний, связанных с наличием точечного дефекта, и сформулирован принцип выбора квазимолекулы для исследования электронной структуры кристалла с дефектами. [30]
Страницы: 1 2 3 4