Исследование - фотопроводимость
Cтраница 1
Исследования фотопроводимости осажденных слоев красителей были начаты в лаборатории фотохимии Оптического института еще в 1938 г. А. Т. Вартаняном, в связи с разрабатывавшейся нами проблемой выцветания. [1]
Исследования фотопроводимости органических красителей как первые самостоятельные работы были опубликованы Вартаняном [451], Нельсоном [452], Ноддаком и сотрудниками [ 453 - 455) в начале 50 - х годов. Однако возможность применения явления фотопроводимости красителей для решения вопросов фотообесцвечивания не очень велика. Изучение большого числа красителей различных классов указывает на то, что фотопроводимость красителей вызывается образованием и миграцией переносчиков электронного заряда, а не примесями продуктов фотохимического разложения. Подобие фотопроводимости органических и неорганических полупроводников наводит на мысль, что явление темновой и индуцированной светом проводимости красителей может объясняться таким же образом, как и в случае неорганических полупроводников. [2]
Однако исследование фотопроводимости является очень чувствительным методом для обнаружения квя-зинепрерывного фона Низкой концентрации даже в присутствии большой ( по сравнению со средним фоном) концентрации отдельных локальных уровней. Происхождение квазинепрерывного фона может быть связано с дефектами решетки и химическими примесями, а также образуемыми ими Друг с другом разнообразными комплексами. Подтверждением этому служит то, что квазинепрерывный фон более четко проявляется в напыленных пленках и поликристаллических слоях, чем в монокристаллах. [3]
При исследовании фотопроводимости кристаллов НБН было обнаружено, что в монодоменизированных образцах вызванная освещением высокая электропроводность исчезает не сразу после выключения света, а сохраняется длительное время. Так, после воздействия светом с Я, 0 440 мкм интенсивностью 1 мВт / см2 ток релаксирует к исходному значению более суток. [4]
Сравнительно недавно были проведены исследования фотопроводимости в монокристаллических эпитаксиальных слоях РЬТе и PbS. Небольшой дополнительный максимум чувствительности, наблюдаемый в области коротких длин волн, связывают с возбуждением носителей с уровней, образованных за счет внедренного кислорода. [5]
Значительный научный и практический интерес представляют исследования фотопроводимости и других фотоэлектрических свойств полимерных полупроводников. Уже в настоящее время некоторые из этих материалов могут быть использованы для электрофотографии и для приемников излучения. [6]
 |
Двухдисковый модулятор. [7] |
Такие процессы весьма часто наблюдаются при исследовании фотопроводимости полупроводников. Например, для изучения начальных стадий релаксации в CdS необходимо получать световые импульсы со сравнительно крутыми фронтами - 10 сек. [8]
Большинство более ранних работ сделано в связи с исследованиями фотопроводимости и фотовольтаического эффекта. Показано ( например, [22]), что пленки CdS, осажденные с большой скоростью на холодные подложки, имели характерный темный цвет и высокую проводимость, в то время как в результате более медленного осаждения на нагретые подложки получались пленки оранжевого или желтого цвета с высоким удельным сопротивлением. [9]
Наблюдение собственной флуоресценции антрацена в зависимости от концентрации парамагнитных частиц, а также исследование импульсной фотопроводимости на тауметре показало, что происходят симбатные изменения выходов флуоресценции и фототока при изменении концентрации парамагнитных центров. Это, возможно, вызвано тем, что безызлу-чательный распад экситонов и захват свободных носителей происходит по одному механизму. [10]
Модуляция инфракрасного ( ИК) излучения необходима для ряда применений, например при исследовании фотопроводимости полупроводников, в ИК телефонии, при передаче информации посредством лазеров. [11]
Много усилий было направлено на изучение некоторых фотохимических реакций в твердой фазе. В последние годы расширены также исследования фотопроводимости и фото-сенсибилизированных реакций в твердой фазе. [12]
Температурная зависимость удельного сопротивления электронного и дырочного германия, легированного никелем, свидетельствует о том, что введение никеля в германий вызывает появление двух акцепторных уровней, из которых один отстоит на 0 22 0.01 аи от потолка валентной зоны, а другой-на 0 30 f 0 02 ев от дна зоны проводимости. Значения энергии ионизации, полученные из исследования инфракрасной фотопроводимости при 77 К, согласуются с найденными из измерений удельного сопротивления. Образцы n - типа проявляют более высокую фоточувствительность, чем дырочные; в них обнаруживается также эффект гашения тока. [13]
Значения энергии ионизации, выведенные из исследований фотопроводимости при 77 К, хорошо согласуются с величинами, полученными из измерений удельного сопротивления. [14]
Главное значение измерений ФЭМ-эффекта заключается в том. Важность проведения таких измерений очевидна, поскольку в исследованиях фотопроводимости и фотокатализа особое значение имеют поверхностные центры рекомбинации, которые связаны с неосновными носителями. Величина замкнутого ФЭМ-тока пропорциональна квадратному корню из времени жизни избытка свободных носителей, тогда как фотопроводимость прямо пропорциональна времени жизни. Эта разница объясняется тем. ФЭМ-эффекта существует градиент, пропорциональный dnjdy. Чрезвычайно полезно объединить эти методы, особенно если время жизни носителей так мало, что даже обычные методы измерения быстрых процессов неприменимы. [15]
Страницы: 1 2