Исследование - фотопроводимость
Cтраница 2
По существу, методы как первой, так и второй группы безоговорочно пригодны лишь для исследования линейной фотопроводимости. [16]
Существенный интерес представляет гл. Анализируются информативные возможности таких методов, как электронный парамагнитный и ядерный магнитный резонансы, оптически детектируемый магнитный резонанс, фотоакустическая спектроскопия, изотермическая нестационарная емкостная спектроскопия, метод исследования фотопроводимости с помощью видикона и пико-секундная спектроскопия. Особое внимание уделяется связи между дефектами структуры и атомами водорода и фтора. Метод фотоакустической спектроскопии позволяет определить абсолютное значение коэффициента поглощения тонких пленок при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны, без знания тепловых параметров пленки. [17]
Можно возразить, что фотоэмульсия, представляющая взвесь микрокристаллов в желатине, является априори слишком сложной системой для изучения фотопроводимости. Однако нам казалось, что исследование фотопроводимости может явиться ценным средством для изоляции первичной стадии фотографического процесса от последующих ступеней, которые должны быть пройдены до образования скрытого изображения. [18]
Это иллюстрирует рис. 2.8.1. Сплошная кривая изображает типичный спектр ТСТ до термического опустошения мелких ловушек. Штриховая кривая ( 3) изображает соответствующий спектр ТСТ после термического опустошения ловушек при нагреве кристалла до 170 К; как видим, пик А исчез. Уровень такой глубины определен в исследованиях импульсной фотопроводимости [191] и обычно приписывается примеси тетра-цена. Однако эта идентификация на основе спектров ТСТ в данном случае недостаточно обоснована. Примером более однозначной идентификации служат данные рис. 2.8.5. Максимум, указанный стрелкой в спектре ТСТ антрацена, легированного тетраценом ( б), явно более ярко выражен по сравнению со спектром ( а), полученным в отсутствие примеси. В этом эксперименте при скорости нагрева 0 1 К-с 1 получено значение температуры максимума Тт 185 К, тогда как в работе 60 ] получено Тт 210 К. [20]
Выбор количественной характеристики фотопроводимостиЪпре - деляется задачей экспериментального исследования и используемой схемой измерения фотопроводимости. Явление фотопроводимости давно привлекает внимание и как мощный инструмент исследования в физике полупроводников, и как явление, имеющее широкое техническое применение. В этой области выполнено очень большое число исследовательских работ и получен обширный экспериментальный материал, разнообразный как по исследовавшимся полупроводникам, так и по используемым методикам исследования фотопроводимости. Интерпретация многих физических явлений в физике фотопроводимости еще недостаточно разработана теоретически, однако следует заметить, что по исследованию фотопроводимости получены сведения о различных свойствах зонной структуры и примесных состояний, а также о характеристиках неравновесных явлений в полупроводниках. [21]
Выбор количественной характеристики фотопроводимости определяется задачей экспериментального исследования и используемой схемой измерения фотопроводимости. Явление фотопроводимости давно привлекает внимание и как мощный инструмент исследования в физике полупроводников, и как явление, имеющее широкое техническое применение. В этой области выполнено очень большое число исследовательских работ и получен обширный экспериментальный материал, разнообразный как по исследовавшимся полупроводникам, так и по используемым методикам исследования фотопроводимости. Интерпретация многих физических явлений в физике фотопроводимости еще недостаточно разработана теоретически, однако следует заметить, что по исследованию фотопроводимости получены сведения о различных свойствах зонной структуры и примесных состояний, а также о характеристиках неравновесных явлений в полупроводниках. [22]
Выбор количественной характеристики фотопроводимостиЪпре - деляется задачей экспериментального исследования и используемой схемой измерения фотопроводимости. Явление фотопроводимости давно привлекает внимание и как мощный инструмент исследования в физике полупроводников, и как явление, имеющее широкое техническое применение. В этой области выполнено очень большое число исследовательских работ и получен обширный экспериментальный материал, разнообразный как по исследовавшимся полупроводникам, так и по используемым методикам исследования фотопроводимости. Интерпретация многих физических явлений в физике фотопроводимости еще недостаточно разработана теоретически, однако следует заметить, что по исследованию фотопроводимости получены сведения о различных свойствах зонной структуры и примесных состояний, а также о характеристиках неравновесных явлений в полупроводниках. [23]
Выбор количественной характеристики фотопроводимостиЪпре - деляется задачей экспериментального исследования и используемой схемой измерения фотопроводимости. Явление фотопроводимости давно привлекает внимание и как мощный инструмент исследования в физике полупроводников, и как явление, имеющее широкое техническое применение. В этой области выполнено очень большое число исследовательских работ и получен обширный экспериментальный материал, разнообразный как по исследовавшимся полупроводникам, так и по используемым методикам исследования фотопроводимости. Интерпретация многих физических явлений в физике фотопроводимости еще недостаточно разработана теоретически, однако следует заметить, что по исследованию фотопроводимости получены сведения о различных свойствах зонной структуры и примесных состояний, а также о характеристиках неравновесных явлений в полупроводниках. [24]
Выбор количественной характеристики фотопроводимости определяется задачей экспериментального исследования и используемой схемой измерения фотопроводимости. Явление фотопроводимости давно привлекает внимание и как мощный инструмент исследования в физике полупроводников, и как явление, имеющее широкое техническое применение. В этой области выполнено очень большое число исследовательских работ и получен обширный экспериментальный материал, разнообразный как по исследовавшимся полупроводникам, так и по используемым методикам исследования фотопроводимости. Интерпретация многих физических явлений в физике фотопроводимости еще недостаточно разработана теоретически, однако следует заметить, что по исследованию фотопроводимости получены сведения о различных свойствах зонной структуры и примесных состояний, а также о характеристиках неравновесных явлений в полупроводниках. [25]
Выбор количественной характеристики фотопроводимостиЪпре - деляется задачей экспериментального исследования и используемой схемой измерения фотопроводимости. Явление фотопроводимости давно привлекает внимание и как мощный инструмент исследования в физике полупроводников, и как явление, имеющее широкое техническое применение. В этой области выполнено очень большое число исследовательских работ и получен обширный экспериментальный материал, разнообразный как по исследовавшимся полупроводникам, так и по используемым методикам исследования фотопроводимости. Интерпретация многих физических явлений в физике фотопроводимости еще недостаточно разработана теоретически, однако следует заметить, что по исследованию фотопроводимости получены сведения о различных свойствах зонной структуры и примесных состояний, а также о характеристиках неравновесных явлений в полупроводниках. [26]
ИЗ, 114 ] обнаружили, что наложение электрического поля влияет на выход водорода при облучении жидкого гексадекана и других углеводородов быстрыми электронами. Авторы предполагают, что возможной причиной этого эффекта является конвекция жидкости в электрическом поле, понижающая концентрацию растворенного водорода. По данным Е. Л. Франке-вича и Б. С. Яковлева [115], применивших метод высоковольтной поляризации твердых облученных углеводородов при низкой температуре, концентрация стабилизированных зарядов может составлять до 10 % от концентрации стабилизированных алкильных радикалов. Последние являются ловушками для электронов. Исследования фотопроводимости таких систем показали, что энергия связи электронов, захваченных радикалами, равна примерно 3 эв. При освещении облученных углеводородов происходит выделение водорода с G ( H2) 0 8 в результате рекомбинации стабилизированных ионов с электронами. [27]
Кроме того, были обнаружены явления объемного фотоэффекта в металлах и сверхпроводниках. Время жизни свободных носителей, самым непосредственным образом определяющее фоточ всгвителы-юсть вещества, меняется от нескольких секунд до 10 - [ 3 сек Времена жизни, большие чем Ю-4 сек, соответствуют фотсшроводпикам, чувствительным в обычном смысле слова. Это разделение, конечно, от час [ И произвольно и зависит как от точности применяемых приборов, так и от области интересов наблюдателя. В заключение отметим, что трудно найти материал, в котором не наблюдается фотопроводимость. Последнее замечание делается в связи с тем положением, которое было характерно для раннего периода исследования фотопроводимости когда изучалось сравнительно небольшое число веществ. Оно имеет своей целью возбудит. [28]
Несмотря на то, что эти вещества относятся скорее к классу изоляторов, нежели полупроводников, необходимо все же отметить большое количество исследований, выполненных Полем1) и его сотрудниками на щелочно-галоидных соединениях, поскольку эти исследования в значительной степени способствовали также выяснению многих свойств полупроводников. Одна из главны причин, почему этот класс веществ привлек внимание исследователей, состояла в том, что такие соединения можно получить в виде больших монокристаллов высокой степени чистоты. Многие из работ, посвященных оксидам и сульфидам металлов, были выполнены в свое время на образцах из спрессованных порошков или на пленках, полученных путем испарения в вакууме или с помощью метода химического осаждения. В настоящее время хорошо известно, что на таких образцах часто получаются совершенно неверные результаты. Необходимо отметить, что электропроводность щелочно-галоидных кристаллов носит скорее ионный, нежели электронный характер. Именно исследование фотопроводимости щелочно-галоидных соединений и проложило путь к пониманию аналогичных явлений, происходящих в полупроводниках под действием видимого света или инфракрасного излучения. [29]
Представлены и обсуждены результаты исследований свойств германия с примесью золота. Использованы измерения эффекта Холла, удельного сопротивления, фотопроводимости, диффузии, тепловые измерения, а также другие методы. Показано, что золото является акцептором с высоко расположенными уровнями-в отличие от обычных примесных элементов. Показано также, что каждый атом золота создает два уровня, один-на 0 15 эв над потолком валентной зоны, а другой-на 0 2 эв под дном зоны проводимости. Обсуждены выводы, вытекающие из этой модели. В зависимости от относительного содержания атомов золота и других доноров и акцепторов образцы, легированные золотом, могут быть высокоомвыми или низкоомными, дырочными или электронными при 77 К. Удельное сопротивление при этой температуре может достигать 10 ом-см. Коэффициент разделения, измеренный по электрическим свойствам, составляет около 1 5 - 10 - 5, растворимость золота в германии-около 1015 см-3. Исследования фотопроводимости подтверждают некоторые черты предложенной модели. [30]
Страницы: 1 2