Длина - кристалл
Cтраница 1
 |
Схема математической постановки задачи. [1] |
Длина кристалла равна 5 / дакт. [2]
Длина кристаллов тридимита в крупных зернах - 0 1 мм, в связующей же массе тридимитовые кристаллы значительно мельче. [3]
Длина кристалла вдоль оптической оси; 0 и пв - показатели преломления для обыкновенного и необыкновенного лучей; гвз и Г1в - электрооптические константы; U - модулирующее напряжение, приложенное к кристаллу. [4]
При длине кристалла А получаем площадки ds - hdl, имеющие разную ориентацию к первичному пучку. Рассчитывается поглощение при отражении от каждой из них и результат суммируется. Фактически интегрирование ведется по углу а, определяющему ориентацию площадки. [5]
 |
Определение цены деления [ IMAGE ] Определение длины кри. [6] |
При измерении длины кристаллов, находящихся на предметном стекле, последнее помещают так, чтобы одна из крайних точек кристалла совпала с нулевым делением шкалы окулярного микрометра, и отсчитывают, сколько делений занимает измеряемый кристалл. На рис. 141 показано измерение длины кристалла, занимающего 31 деление шкалы окулярного микрометра. [7]
При изменении длины кристалла изменяется и потенциал домена при пороговой напряженности электрического поля. Увеличение длины L приводит к большим напряжениям, необходимым для достижения в кристалле пороговой напряженности электрического поля Еп. При неизменной концентрации носителей п0 с увеличением L уменьшается напряженность электрического поля вне домена ( домен быстрее насыщается) и увеличивается потенциал домена ия. [8]
По мере увеличения длины кристалла скорость роста снижают соответственно увеличению коэффициента распределения. Однако следует иметь в виду, что изменение скорости вытягивания в процессе роста слитка приводит к нарушению теплового баланса на фронте кристаллизации, что вызовет увеличение или уменьшение диаметра кристалла. Поэтому вместе с программированием скорости роста необходимо составлять и вторую программу для изменения мощности нагревателя, согласованную с первой. [9]
Набег фазы по длине кристалла L больше я приводит к незначительному вкладу в преобразованное излучение соответствующих частей нелинейной среды из-за эффекта интерференции. Таким образом, когерентность объемно расположенных источников приводит к возникновению эффективной диафрагмы. [10]
Когда в положении погасания длина кристалла, трещины спайности, двойниковые швы и вертикальная ось кристалла ориентированы параллельно нитям окуляра, погасание называется прямым, а когда наклонно - косым. Угол, который образуется между этими направлениями и одной из осей индикатрисы ( Ng и Np) кристалла, называется углом погасания. [11]
В определенном интервале значений длины L кристалла устойчивыми будут слои, испытавшие однократное разветвление, в результате чего каждый слой подойдет к поверхности в виде трех более тонких слоев. На рис. 2 изображено, в разрезе, распределение намагничения в таких слоях. [12]
При очень высоком молекулярном весе длина кристаллов велика и на них, три спекании образца, образуется много изгибов. Поэтому длительный прогрев при температуре спекания сильно изменяет степень кристалличности при малом молекулярном весе и почти не изменяет ее при высоком молекулярном весе. [13]
Это накладывает жесткое ограничение на длину кристалла tc, на протяжении которой / энелин может дать кумулятивно складывающиеся вклады и тем самым создать волну второй гармоники. [14]
Максимальный выход однородно легированного по длине кристалла во всех трех вариантах программ одинаков, так как определяется максимальным и минимальным значениями эффективного коэффициента распределения, т.е. относительно конечного результата они равноценны. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5