Длина - кристалл
Cтраница 3
Простая теория ( см., например [94, 95]) предсказывает, что длина кристалла сначала увеличивается со временем экспоненциально, поскольку площадью сбора молекул служит весь нитевидный кристалл. Когда длина кристалла становится большой по сравнению с Xs, он продолжает расти пропорционально времени, причем площадь сбора постоянна по величине и следует за вершиной нитевидного кристалла. Строгая теория [101] показывает, что отклонения от простой теории могут позволить в принципе измерить по отдельности Ds и rs, хотя поверхностное зарождение на боковых гранях нитевидных кристаллов может решающим образом изменить картину. [31]
В уравнении (2.22) d есть расстояние между электродами, I - длина кристалла в направлении распространения света, е - статическая диэлектрическая проницаемость, К - длина волны света в вакууме, па - показатель преломления в отсутствие внешнего поля, V - напряжение, приложенное к образцу. Значения статической диэлектрической проницаемости и показателя преломления, необходимые для получения электрооптических коэффициентов из величин Vmn были определены обычными методами. [32]
Заметим, что в (7.4.39) величина 6 по своей зависимости от длины кристалла L аналогична - фазовой модуляции. Следовательно, все результаты, полученные при рассмотрении согласования фазовых скоростей в случае фазовой модуляции, применимы также для амплитудной модуляции. [33]
 |
Локальные поля напряжений, вызванные частицами алюмината иттрия в монокристалле иттрий-алюминиевого граната. Поляризованный свет. Увеличение х хЮО. [34] |
Известно, что дислокации, параллельные направлению роста, прорастают вдоль всей длины кристалла. [35]
При отношении A12O3 / A1F3, равном 0 - 0 25, длина кристаллов муллита достигает 1 - 2 мм, а при большем значении этого отношения ( 1 0 - 2 5) длина кристаллов муллита уменьшается до 0 4 мм. Таким образом, изменяя состав исходной шихты, можно регулировать размер кристаллов получаемого продукта. [36]
 |
Работа образования частицы новой фазы. [37] |
Эти соотношения графически показаны на рис. 46, где г - параметр длины кристалла, аналогичный радиусу шара; б - толщина поверхностного слоя. [38]
 |
Работа образования частицы новой фазы. [39] |
Эти соотношения графически показаны на рис. 46, где г - параметр длины кристалла, аналогичный радиусу шара; 6 - толщина поверхностного слоя. [40]
 |
Державки для выглаживания поверхностей. [41] |
Рабочая часть алмаза, выступающая из корпуса, не должна превышать /, длины кристалла. [42]
Если охлаждение от 60 до О производилось со скоростью 1 в минуту, то длина кристаллов увеличивалась до 4 1 / / и при скорости 1 в 5 мин. [43]
 |
Державки для выглаживания поверхностей. а - с цилиндрической пружиной. б - с пружинящим корпусом. / - регулировочный винт, 2 - тарированная пружина. 3 - индикатор. 4 - наконечник с алмазом. [44] |
Рабочая часть алмаза, выступающая из корпуса, не должна превышать 1 / 3 длины кристалла. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5