Cтраница 2
Собственно тиристор замещается в этой модели зависимым источником тока Jt, резисторами ла, л, сопротивлением утечки Гут и барьерной емкостью центрального р-п перехода тиристора Сбир. [16]
Если выходная переменная блока используется как аргумент для зависимого источника тока, то выход блока ( источник тока) подключается к резистору с номинальным значением, равным единице. [17]
Для всех рассмотренных выше моделей МДП-транзисто-ров характерно наличие нелинейного зависимого источника тока, управляемого напряжениями на электродах. В отдельную группу можно выделить МДП-транзисторы, используемые как элементы запоминающих устройств. Принципиальной особенностью моделей является зависимость тока канала от заряда, накапливаемого на затворе. [18]
Составить сигнальный граф для четырехполюсника по рис. 4.60 с зависимыми источниками тока и ЭДС и, применив топологическую формулу ( Мэзона), определить элементы матрицы Н четырехполюсника. [19]
При заданной характеристике J2 ( i) заменим усилитель зависимым источником тока. [20]
Составить сигнальный граф для четырехполюсника по рис. 4.60 с зависимыми источниками тока и ЭДС и, применив топологическую формулу ( Мэзона), определить элементы матрицы Н четырехполюсника. [21]
При заданной характеристике i2 ( i) заменим усилитель зависимым источником тока. [22]
Дифференцирование можно выполнить с помощью блока, показанного на рис. 3.14. Зависимый источник тока ( его значение равно переменной, которую необходимо продифференцировать) нагружен на индуктивность с номинальным значением, равным единице. В этом случае, согласно компонентному уравнению индуктивности, напряжение на индуктивности будет равно производной тока. [23]
![]() |
Транзистор в виде трехполюсника.| Схемы замещения транзистора. а - с зависимым источником тока и б - с зависимым источником напряжения. [24] |
На схеме замещения, представленной на рис. 5.8, б, зависимый источник тока оц 3 с шунтом гк заменен эквивалентным источником напряжения с внутренним сопротивлением гк. [25]
![]() |
Зависимый источник и его. унисторная схема замещения.| Электронная лампа ( триод.| Схема замещения транзистора. [26] |
На рис. 10 - 45 показана схема замещения транзистора, которая содержит зависимый источник тока. [27]
![]() |
Эквивалентная схема лампы для высоких частот. [28] |
Иначе говоря, в состав эквивалентной схемы такого четырехполюсника входят так называемые зависимые источники тока или напряжения, так как создаваемые ими токи SQC и ( У21 - У. Очень часто такие трехполюсники называются неавтономными необратимыми, при этом необратимость указывает на неприменимость принципа взаимности. [29]
Пусть схема содержит некоторое количество двухполюсников, представленных / - ветвями, зависимых источников тока, управляемых напряжением, а также управляющих по напряжению ветвей. Будем считать, что каждому зависимому источнику соответствует своя разомкнутая управляющая ветвь, не отождествляемая с другими ветвями схемы. Пронумеруем ветви схемы ( или ее графа) в таком порядке: двуполюсные компоненты, зависимые источники тока, управляющие по напряжению ветви. [30]