Зависимый источник - ток
Cтраница 4
Разработанная авторами универсальная система ПАРИС предназначена для анализа на постоянном токе и в режиме переходного процесса электронных схем, в набор элементов которых входят резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, зависимые источники тока и независимые источники напряжения, причем первые четыре из них могут быть как линейными, так и нелинейными. [46]
Существуют также способы преобразования индуктивностей в эквивалентные схемы, содержащие емкости и гираторы, а также всех реактивных элементов ( как индуктивностей, так и емкостей) в элементы, содержащие сопротивления и зависимые источники тока и напряжения. Все эти преобразования преследуют цель упрощения процедур составления и решения уравнений схемы. [47]
Указанные особенности транзистора позволяют представить его схему замещения так, как это показано на рис. 5, 8, а. На этой схеме зависимый источник тока at a учитывает влияние эмиттерного тока на цепь коллектора, а сопротивления гэ, гб и гк определяются по заданному семейству характеристик транзистора. [48]
 |
Схема блока, выполняющего перемножение переменных. [49] |
Нулевые элементы в строках матрицы Якоби обусловлены однонаправленностью модели. Выходной сигнал представляет собой зависимый источник тока с компонентным уравнением 1 ху. Подключая к базовому узлу полюс 4 модели, будем иметь источник тока со знаком плюс, подключая полюс 3 - со знаком минус. [50]
При построении моделей О, 1 и 2-го уровней очень важное значение имеет получение моделей на основе четырехполюсников. К четырехполюсникам относятся разного вида зависимые источники тока и напряжения, дроссели и трансформаторы. Математическая модель таких элементов содержит два уравнения. [51]
Схема замещения простейшего апериодического резистивного усилителя представлена на рис. 5.14, а. Усилительный прибор обозначен в виде зависимого источника тока SEX с внутренней проводимостью Gj l / Rt. Емкость С0 включает в себя межэлектродную емкость активного элемента, а также емкость внешней цепи, шунтирующей нагрузочный резистор R 1 / G. Схема на рис. 5.14, а является обобщенной, применимой к любому активному элементу. [52]
С точки зрения общей теории цепей для переменных составляющих токов и напряжений триод представляет собой активный трехполюсник или четырехполюсник с закороченной стороной. В состав его эквивалентной схемы входят так называемые зависимые источники тока или напряжения, так как создаваемые ими ток 0С или напряжение il c зависят от напряжения Ос, подводимого между сеткой и катодом. [53]
Метод, используемый для решения уравнений электротермической цепи, иллюстрирует рис. 1.17, где е - вектор независимых напряжений в электрической части ИМС, Т - вектор независимых напряжений ( температур) в тепловой модели, Ye - проводимости электрической части ИМС, Ут. Связь между двумя подсистемами уравнений осуществляется с помощью зависимых источников тока, управляемых напряжением ( температурой), которые характеризуют влияние температуры на рабочие характеристики ИМС, а также с помощью источников мощности, характеризующих зависимость мощности рассеяния от узловых напряжений. В процессе решения системы уравнений обычно используется метод Ньютона - Рафсона, причем в дополнение к обычным операциям в итерационном процессе изменение температуры и мощности рассеяния ограничивается. [54]
Источниками тока в указанном смысле являются, например, источники энергии, основанные на излучении заряженных частиц, выделяющихся при радиоактивном распаде вещества, так как при этом ток источника определяется скоростью распада. Важными разновидностями источников ЭДС и тока являются зависимый источник ЭДС и зависимый источник тока. Зависимым источником электродвижущей силы называют такой источник, в котором ЭДС зависит от тока или напряжения в некотором участке цепи. Часто такие источники также называют управляемыми. [55]
Схемы замещения с зависимыми источниками используются при анализе электронных схем в линейном режиме. Например, электронная лампа триод ( рис. 10 - 44), используемая для усиления переменных сигналов, при пренебрежении внутренним сопротивлением эквивалентна зависимому источнику тока, показанному на рис. 10 - 43, а. При этом узел / соответствует сетке С, узел 2 - аноду А и узел 3 - катоду / С. [56]
Вопросу моделирования элементов ИС посвящена гл. Материал, изложенный в этой главе, показывает, что отдельные элементы этих схем могут быть представлены моделями, состоящими из линейных п нелинейных сопротивлений, емкостей, индуктивностей, зависимых источников тока и напряжений. [57]
Одной из наиболее распространенных математических моделей биполярного транзистора является модель Эбер-са - Молла. Схема замещения, соответствующая этой математической модели для п-р - п транзистора, показана на рис. 6.11. Диоды Дэ и Дк замещают р-п переходы транзистора ( через них протекают инжекционные токи эмиттера / э и коллектора Ук), а зависимые источники тока а / / к и jv / э моделируют взаимодействие переходов через базу транзистора. Инерционные свойства транзистора отражаются диффузионными Сдиф и барьерными Сбар емкостями. Резисторы гээ, Гкк, ГБ замещают сопротивления слоев эмиттера, коллектора и базы соответственно. [58]
Страницы: 1 2 3 4