Cтраница 1
К-константа, зависящая от условий реакции. [1]
![]() |
Значения безразмерного времени At по заданному пересыщению. [2] |
К-константа, связанная с коэффициентом диффузии. [3]
К-константа, D - диэлектрическая постоянная растворителя. [4]
К-константа, зависящая от константы эллиптичности уравнения и от размерности пространства. [5]
К-константа, зависящая при прочих равных условиях от интенсивности перемешивания. [6]
К-константа, зависящая от свойств металла и температуры. [7]
К-константа, выраженная через постоянные зародышеобразования и роста; постоянная п лежит в пределах от 1 до 4 и ее точное значение зависит от природы процессов зародышеобразования и роста. [8]
К-константа, которая зависит от геометрии ячейки, условий переноса вещества и от природы электродной реакции. [9]
К-константа, зависящая от свойств среды и света; е - основание натуральных логарифмов. Из приведенного уравнения очевидно, что если толщина слоя постоянна, то изменение интенсивности прошедшего через него света будет зависеть только от концентрации поглощающего вещества. [10]
К-константа, определяемая геометрическими параметрами. [11]
К-константа распределения, зависящая от темп-ры, давления, скорости кристаллизации и но зависящая от количества выделившейся твердой фазы. При этом кристалл может рассматриваться как совокупность слоев, в к-рых содержание микрокомпонента падает или нарастает от центра к периферии, в зависимости от того, происходит ли обогащение или обеднение твердой фазы микрокомнонен-том. [12]
![]() |
Кривая равновесия для бинарной смеси. [13] |
К-константа равновесия и равна отношению давления насыщенных паров данного компонента к давлению системы. [14]
К-константа равновесия, а Д5 - стандартная энтропия р-ции, вычисляемая по стандартным энтропиям всех в-в, участвующих в р-ции. [15]