Каналирование

Cтраница 2

Наблюдение картин каналирования электронов полезно для идентификации выделений в кристаллах, определения плоскостей габитуса, изучения взаимной кристаллографической ориентации выделившихся фаз и матрицы, при изучении механизма двойни-кования, дефектов кристаллической структуры и ориентации зерен. Впервые каналирование электронов было установлено при изучении монокристаллов кремния, германия и арсенида галлия. [16]

Определение средней дли - КОНЦСНТраЦИИ ИОНОВ N ( x / Nmax. [17]

При отсутствии эффекта каналирования процесс рассеяния ионов является случайным и распределение их пробегов описывается функцией Гаусса. [18]

В ряде случаев эффект каналирования можно рассматривать как положительно влияющий на процесс легирования, так как глубина проникновения ионов в мишень увеличивается. Однако ввиду того что расчет распределения и его прогнозирование с учетом каналирования весьма сложны, в практике используют вариант расчетов с аморфной мишенью. При этом считают ионные пучки ориентированными так, что углы падения превышают критические для каждого типа мишени. [19]

Указанный эффект, называемый эффектом каналирования, полезен тем, что - позволяет осуществлять ионное внедрение на заданную глубину при более низких энергиях и с малой степенью разупорядоченности структуры. Однако для того, чтобы основная масса ионов каналировалась, необходимо ориентировать подложку относительно ионного пучка с точностью 0 1, что в производственных условиях весьма сложно. [20]

Одно из главных преимуществ методов каналирования и теней по сравнению с существующими структурными методами исследования заключается в том, что использование их сводит к минимуму релаксацию дислокационной структуры материала, поскольку отпадает необходимость в вырезке и изготовлении тонких темплетов и фолы и, кроме того, появляются дополнительные возможности количественной оценки глубины и плотности структурных дефектов в приповерхностных слоях кристалла. [21]

Итак, рассмотрение процессов фокусировки, каналирования и последующей рекомбинации образующихся дефектов позволяет в принципе учесть дополнительное влияние таких фактов, как кристаллическая структура и эффект локального разогрева решетки на развитие пика смещения, и, значит, более корректно, по сравнению с моделью аморфной среды, представить качественную картину радиационного повреждения а-урана осколками деления. [22]

В заключение заметим, что эффект каналирования должен сказываться и на распределении самих атомов благородных газов, если они возникли в результате какой-либо ядерной реакции, например деления. Действительно, подобные атомы отдачи, попав в канал, могут полностью погасить в нем свою энергию, не вызывая столкновений, приводящих к выбиванию ионов кристаллической решетки хозяина. Таким образом, какая-то, , и, вероятно, значительная, часть атомов инертных газов ( Кг, Хе) застревает в каналах, не распределяясь, как можно было бы ожидать, вполне равномерно и изотропно по всему телу кристалла. [23]

Протонограмма кристалла молибдена для направления ( 110, полученная в процессе методом ориентационных эффектов анализа. [24]

Различают анализы, основанные на эффекте каналирования, на эффекте теней и на двойной ориентации. [25]

Следовательно, для большинства опытов с каналированием можно предположить, что падающие частицы невелики по сравнению с расстоянием между плоскостями решетки. Поэтому описание каналирования с помощью рядов столкновений падающих частиц с отдельными атомами, приводящих к избирательному прохождению отраженных частиц вдоль каналов в кристалле, полностью оправдывается. Объяснение явления с помощью волн в равной мере справедливо и в принципе возможно, но без упрощающих предположений будет сложным. [26]

Интенсивность отраженных электронов при качании кристалла кремния. Отмеченные углы - углы о к Для отражений типа ННО при энергии падающего пучка 30 кэВ. [27]

Представление о сложности изменений интенсивности в картине каналирования дает рис. 22.12. Этот анализ объясняет сильное влияние на картины каналирования угла расходимости зонда: резкие изменения интенсивности происходят в довольно узком интервале углов Современные приборы позволяют получить картины каналирования от участков объекта с поперечным размером - 1 мкм. Для этого в дополнение к сканированию по площадям проводится сканирование по углам. [28]

Из первых наблюдений было очевидно сходство картин каналирования, полученных для быстрых заряженных частиц, с картинами кикучи-линий для электронов: со временем была показана аналогия с целым рядом эффектов К-линий, которые обсуждались нами в этой главе. [29]

Интерпретация этих небольших максимумов с - помощью модели каналирования частиц следующая: электроны проходят вдоль путей, ограниченных потенциальными ямами вокруг рядов и плоскостей атомов, осциллируя около минимума потенциала. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5