Каналирование

Cтраница 3

Схема определения глубины и степени нарушения структурными дефектами поверхностных слоев монокристаллических твердых тел путем v облучения их коллимированным пуч. [31]

Полученные данные позволяют сделать вывод о перспективности применения метода каналирования для изучения дефектной поверхности монокристаллов и, в частности, для изучения особенностей ранних стадий пластической деформации обширного класса материалов, обладающих значительной релаксационной способностью, которая не позволяет производить разрезку образцов для приготовления тонких срезов и фолы при послойных структурных исследованиях. [32]

Типы разрушения металлов. [33]

Такого рода исследования с помощью РЭМ возможны благодаря эффекту каналирования электронов. [34]

Термин аморфное тело, широко распространенный в литературе по методу каналирования, является условным и отражает по существу лишь явление деканалиро-вания заряженных частиц. [35]

Число дефектов, избежавших аннигиляции, зависит от процессов фокусировки и каналирования, приводящих к эффективному разделению дефектов разного знака. [36]

Скол поликристаллического молибдена. а - в режиме каналирования электронов. Х35. б - картина каналирования от одного из зерен Е. А. Войтехова. [37]

На рис. 3.8, а в качестве примера приведено изображение в режиме каналирования электронов скола поликристаллического молибдена. [38]

Таким образом, на основании проведенных исследований можно сделать заключение, что метод каналирования положительно заряженных частиц позволяет измерить толщину и степень дефектности деформированных слоев. При улучшении энергетического разрешения метод позволяет также получить распределение дефектов по глубине слоя. [39]

Максимальный угол W, при котором исчезает направляющее действие ряда атомов, называется критическим углом каналирования и обозначается Ч кр. Расчет величины 4 % представляет определенный интерес как для теории метода, так и для практики. [40]

Модель радиационных повреждений, производимых при соударении одного нейтрона с атомами решетки.| Схема профиля силового барьера, преодолеваемого движущейся дислокацией за счет термомеханической активации. [41]

Причиной дисбаланса вакансии и межузельных атомов в таких обедненных зонах является проявление процессов фокусирования и каналирования выбитых атомов из узлов решетки. [42]

Если падающий пучок ионов ориентирован к подложке под углом, большим, чем критический угол каналирования, то кристаллическая мишень окажется практически неотличимой от аморфной. [43]

Целесообразно упомянуть о возможности определения состояния примесных инертных газов в ионных кристаллах, используя метод каналирования. Изучение кристаллических дефектов этим методом описано в ряде прекрасных обзоров ( см., например, [3]), однако в области ионных кристаллов работав этом направлении лишь начинается. [44]

Угол бкан падения частицы на цепочку, начиная с которого происходит захват частицы в режим каналирования, называется углом каналырования. Оценки показывают, что угол каналирования примерно в полтора раза меньше угла тени. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5