Длина - ступенька - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Легче изменить постановку задачи так, чтобы она совпадала с программой, чем наоборот. Законы Мерфи (еще...)

Длина - ступенька

Cтраница 3


Данные, полученные в результате низкотемпературной разгонки, чаще всего выражают в виде графика зависимости давления в приемной склянке от температуры отгона в головке колонки. Если отгон собирается в бюретку, то на графике откладывают суммарный объем собранного газа вместо давления в приемной склянке. В любом случае длина ступеньки для данного компонента, деленная на общую длину кривой, равна объемной или мольной доле данного компонента смеси. Если излом очень четкий, как, например, излом между метаном и этаном на рис. 3, то определение длины ступеньки весьма просто и точность отсчета достаточно высока.  [31]

32 Выходная кривая вытеснения трех веществ. [32]

По выходной кривой определяют характеристические высоты для каждого данного вещества. Так как площадь под каждой ступенькой выходной кривой вытеснения пропорциональна количеству присутствующего вещества, а высота ступенек есть величина постоянная то длина ступенек должна быть пропорциональна количеству этого вещества. Таким образом, количественный анализ выходной кривой вытеснения сводится к измерению длин ступенек.  [33]

Френкель в 1946 г. опроверг это распространенное представление как ошибочное. Он установил, что в процессе роста реального кристалла на его основных гранях в результате тепловых флюктуации возникают вининальные грани с несколько повышенной поверхностной энергией Гиббса. Френкель нашел, что поверхность реального кристалла в состоянии статистического равновесия должна иметь грани, обладающие при температурах выше абсолютного нуля некоторой естественной шероховатостью, вследствие процесса мономолекулярного терассообразования. Шероховатость грани определяется средней длиной К отдельных ступенек или отношением аА, характеризующим подъем и опускание микроучастков поверхности грани. Длина ступенек соответствует прет-мерно 100 атомным расстояниям.  [34]

По выходной кривой определяют характеристические высоты для каждого данного вещества. Так как площадь под каждой ступенькой выходной кривой вытеснения пропорциональна количеству присутствующего вещества, а высота ступенек есть величина постоянная то длина ступенек должна быть пропорциональна количеству этого вещества. Таким образом, количественный анализ выходной кривой вытеснения сводится к измерению длин ступенек.  [35]

36 Выходная кривая вытеснения трех веществ. [36]

Если концентрация вытеснителя поддерживается постоянной, то, как это следует из теории ( Классон, 1950), высота ступеньки не зависит от количества вещества, присутствующего в растворе, а определяется только природой этого вещества. По выходной кривой определяют характеристические высоты для каждого данного вещества. Так как площадь под каждой ступенькой выходной кривой вытеснения пропорциональна количеству присутствующего вещества, а высота ступенек есть величина постоянная то длина ступенек должна быть пропорциональна количеству этого вещества. Таким образом, количественный анализ выходной кривой вытеснения сводится к измерению длин ступенек.  [37]

Если концентрация вытеснителя поддерживается постоянной, то, как это следует из теории ( Классон, 1950), высота ступеньки не зависит от количества вещества, присутствующего в растворе, а определяется только природой этого вещества. По выходной кривой определяют характеристические высоты для каждого данного вещества. Так как площадь под каждой ступенькой выходной кривой вытеснения пропорциональна количеству присутствующего вещества, а высота ступенек есть величина постоянная то длина ступенек должна быть пропорциональна количеству этого вещества. Таким образом, количественный анализ выходной кривой вытеснения сводится к измерению длин ступенек.  [38]

39 Расположение атомов в кристалле вблизи краевой дислокации.| Схема роста кристалла на винтовой дислокации. [39]

Кристаллов без дислокаций не существует. Постоянное наличие открытой ступеньки винтовой дислокации создает благоприятные условия для роста кристалла. Ведь не нужно начинать строить ни новый ряд, ни новую плоскость. Атомы, пристраивающиеся к ступенькам, наращивают ее, и за счет этого она начинает перемещаться по поверхности грани. Но это движение не будет перемещением ступеньки параллельно самой себе, так как один ее конец неподвижен. Нетрудно сообразить, что если атомы укладываются с постоянной скоростью вдоль всей длины ступеньки, то она по мере роста начнет изгибаться и примет форму спирали.  [40]

В ряде случаев найдено, что линейные ряды дислокаций изменяют свою ширину. Когда линейный ряд дислокаций выходит к ступеньке с макрорасколами, одноатомная ступенька присоединяется к одной или обоим частичным дислокациям. На наиболее интересном рис. 56, г ступеньки противоположного знака присоединяются к обеим частичным дислокациям. Свободная поверхностная энергия кристалла будет уменьшаться, если эти поверхностные ступеньки станут короче. Если 0 - поверхностная энергия, a h - высота ступеньки, то прирост энергии hodx связан с уменьшением длины dx ступеньки. Это означает, что сила На действует на краевую точку дислокации, так как смещение дислокации изменяет длину ступеньки.  [41]



Страницы:      1    2    3