Cтраница 1
![]() |
Зависимость па - 0 102 раыетра решетки а от диаметра D частиц А1, определенная по картинам муара. [1] |
Картины муара возникали на электронно-микроскопическом снимке при биениях электронных пучков, дифрагировавших от определенных семейств плоскостей решеток подложки и частицы. [2]
Картина муара, полученная с образцом графита. [3]
Вращательные картины муара в электронном микроскопе впервые наблюдались Митсуиши, Нагасаки и Уеда [63] в результате случайно достигнутого благоприятного совмещения кристаллов графита, повернутых друг относительно друга. Впослед ствии вращательные муаровые узоры получены в ряде работ [64-71] для различных веществ. [4]
При наблюдении картины муара мы отмечаем прежде всего геометрию контуров и контраст. [5]
Динамическая теория картин муара, возникающих при взаимодействии нескольких отражений, была сформулирована Джевер-сом [548] на основе колонкового приближения. [6]
Для получения картины муара за фокальной плоскостью объективной линзы помещается апертурная диафрагма, которая исключает из картины все лучи первичной дифракции, так что изображение образуется путем интерференции луча нулевого порядка и дважды продифрагировавшего. [7]
Изолинии скоростей на картинах муара при 8 1 39 ( рис. 12, в) существенно отличаются от предыдущих двух вследствие большой неравномерности распределения изолиний скоростей вдоль линий тока, волнового характера распределения изолиний компоненты va, большого градиента деформации на выходе из очага деформации; значительного и неравномерного угла наклона линий муара на контактной поверхности. [8]
Необходимым условием появления на картине муара аномалии, обусловленной линейной дислокацией, является существование последней лишь в одной из совмещенных пленок. Если линия дислокации проходит через обе решетки, то соответствующая аномалия не наблюдается. [9]
Известно [112, 120], что использование картин Муара позволяет наиболее отчетливо выявлять небольшие искажения кристаллической решетки. Данный принцип основан на том факте, что небольшие изменения в трансляционной симметрии приводят к заметным изменениям в картинах Муара. Картины Муара часто наблюдаются в тех случаях, когда изображения кристаллических решеток двух соседних зерен накладываются друг на друга. Характерными чертами картин Муара при электронно-микроскопических исследованиях искажений кристаллической решетки являются искривления получаемых изображений кристаллографических плоскостей и часто изменение расстояния между ними. С другой стороны, наблюдаемые явления могут быть вызваны дифракционными эффектами. [10]
Вектор К полностью определяет геометрию картины муара. [11]
Известно [112, 120], что использование картин Муара позволяет наиболее отчетливо выявлять небольшие искажения кристаллической решетки. Данный принцип основан на том факте, что небольшие изменения в трансляционной симметрии приводят к заметным изменениям в картинах Муара. Картины Муара часто наблюдаются в тех случаях, когда изображения кристаллических решеток двух соседних зерен накладываются друг на друга. Характерными чертами картин Муара при электронно-микроскопических исследованиях искажений кристаллической решетки являются искривления получаемых изображений кристаллографических плоскостей и часто изменение расстояния между ними. С другой стороны, наблюдаемые явления могут быть вызваны дифракционными эффектами. [12]
В работе Бредлера и Ланга [147] картина муара была получена от двух монокристальных пластинок кремния, ориентированных в ходе эксперимента с небольшим взаимным поворотом. [13]
![]() |
Зависимость периода ре. [14] |
В [8,57,58] методом электронографии с использованием картин муара показано, что изменение диаметра частиц А1 от 20 до 6 нм приводит к уменьшению периода решетки на 1 5 % ( рис. 3.6), хотя ранее [59] для частиц А1 диаметром не менее 3 нм сокращения периода не было найдено. [15]