Простая картина

Cтраница 3

Рассеяние света сферическими частицами. [31]

С увеличением размеров частиц сравнительно простая картина релеевского рассеяния начинает осложняться дифракционными явлениями. [32]

Приведенное элементарное обсуждение предполагает простую картину, в которой высокотемпературная обработка служит только для увеличения числа состояний, имеющих значение для проводимости. В известных неорганических полупроводниках число доступных уровней является простой функцией числа атомов в кристалле. В настоящем случае, где пиролиз приводит к сопряженной структуре, можно ожидать аналогичной зависимости. На этом основании предполагается, что главным эффектом термообработки является образование более сопряженных азотистых участков. [33]

Первые греческие ученые нарисовали простую картину устройства Вселенной, но по мере накопления данных они усложняли схемы, чтобы объяснить детали тех или иных явлений: сначала простые факты о Земле, затем более детальные схемы, объясняющие движение небосвода в целом, а также Солнца, Луны и планет в отдельности. [34]

Кругооборот товаров, доходов и расходов. [35]

Для начала представим самую простую картину экономических связей - укрупненную схему движения товаров и доходов, продукции и денег. [36]

Обнаруженные закономерности приводят к очень простой картине расположения молекул в адсорбционном слое. GOOH, хвосты же молекул расположены приблизительно перпендикулярно к поверхности адсорбента. Таким образом, при насыщении адсорбционного монослоя образуется большое число плотно ( бок о бок) расположенных молекул с цепями, ориентированными параллельно друг другу и перпендикулярно к поверхности адсорбента. [37]

Этот результат согласуется с простой картиной, представленной на рис. 14.5. Хотя оба фронта пламени имеют различные масштабы длины, полная площадь поверхности фронтов ламинарных пламен и, таким образом, скорость распространения турбулентного пламени одинаковы. [38]

Покажем теперь, что эта простая картина позволяет сделать также количественный расчет и установить закон молекулярных взаимодействий. Для этого, однако, нам необходимо сначала вспомнить, как решается в классической механике задача о колебаниях двух взаимодействующих или иначе говоря, связанных осциллятордв. [39]

Однако при определенных обстоятельствах такая простая картина существенно усложняется за счет привнесения в нее неформальной власти специалистов, некоторых экспертов, опосредовано влияющих на процесс принятия решений. Обычно сотрудники без труда распознают такую усложненную структуру власти в организации. [40]

Заметим в заключение, что простая картина двух зон, разделенных щелью А const, возникает только в одноэлектронном приближении. Это существенно меняет термодинамические свойства полупроводника и в некоторых моделях ( см. задачу к § 80) может привести к захлопыванию щели и к возникновению фазового перехода в металлическое состояние. [41]

Приближение идеального спаривания сохраняет эту простую картину для многоатомных молекул. За основу берется структурная формула ( валентная схема) химического соединения. Образование химической связи, так же как и в методе Гейтлера - Лондона, относится главным образом к обменным взаимодействиям, соответствующим электронным парам. [42]

В то же время не всегда наблюдается столь простая картина. Как видно из рис. 6, в этом случае зависимость Ig / c от концентрации электролита имеет двухступенчатый характер с двумя плато. Такую зависимость удается количественно интерпретировать исходя из неполной компенсации электростатической составляющей при реакции с участием одного иона и одной ионной пары и более полной - при реакции между двумя ионннми парами. [43]

Читатель Б: Я вижу, что простой картины тепловых движений молекул в жидкости не существует. [44]

Характерные особенности проводимости нетрудно понять с помощью простой картины диффузии центра циклотронной орбиты, если учесть, что проводимость пропорциональна произведению коэффициента диффузии и плотности состояний на уровне Ферми. Поэтому наблюдаемое в сильных магнитных полях обращение ахх в нуль соответствует исчезающе малой вероятности рассеяния. [45]

Страницы: 1 2 3 4