Cтраница 1
Рассчитываемый каскад должен работать при установке в него любог-о экземпляра транзистора выбранного типа; коэффициент усиления каскада желательно иметь наибольшим. [1]
Схема рассчитываемого каскада изображена на рис. 6.7. Для получения большого коэффициента усиления каскада желательно взять транзистор с высоким Ниъ мин. Этим условиям удовлетворяет транзистор МП41А, у которого Й21эмин 50, h2ia манс 100; / окмакс 40 ма; кадоп15 в; / ft215 l Мгц; г 220 ом; Кик0 2 С / Мвт; С 60 пф. [2]
Выбираем для рассчитываемого каскада высокочастотный транзистор, который обеспечит и такой ток покоя, и заданную амплитуду выходного напряжения. [3]
Транзистор для рассчитываемого каскада, так же как и транзистор следующего каскада, берем с / т 10 - / в 120 МГц и с Поэтах 1 1Д8 8 В, ток покоя его коллектора должен обеспечить / втсл на высшей рабочей частоте, где из-за снижения ftaia. Так как суммарный ток сигнала через iR, Д1 и КП2 может оказаться такого же порядка. [4]
Так как от рассчитываемого каскада требуется выходное напряжение лишь 0 95 в, целесообразно применить лампу с малым анодным током, но большим отношением крутизны к междуэлектродной емкости для получения максимального усиления. Подходящим является пальчиковый подогревный пентод типа 6Ж1П с напряжением макала 6 3 в, током накала 0 175 а, нормальным током анода в точке покоя 7 5 ма, крутизной характеристики в этой точке 5 2 ма. [5]
K-R и для рассчитываемого каскада равно 220 ком. [6]
Ток покоя коллектора рассчитываемого каскада должен быть не иже IKO l 5lexMCJl l 5.0 20 3 ма. [7]
Так как от рассчитываемого каскада требуется выходное напряжение лишь 0 95 в, целесообразно приманить лампу с малым анодным током, но большим отношением крутизны к междуэлектродной емкости для получения максимального усиления. Подходящим является пальчиковый подогревный пентод типа 6Ж1П с напряжением накала 6 3 в, током накала 0 175 а, нормальным током анода IB точке покоя 7 5 ма, крутизной характеристики в этой точке 5 2 жа / я и выходной емкостью около 2 5 пф. [8]
Для получения от рассчитываемого каскада наибольшего усиления включим транзистор с общим эмиттером; нелинейных искажений в данном случае можно не опасаться, так как амплитуда выходного сигнала очень мала. Использовав в качестве материала для сердечника трансформатора 50 % - ный пермаллой марки Н50ХС толщиной С 3 мм и применив для первичной обмотки медный провод марки ПЭВ с диаметром без изоляции 0 05 мм, который сочтем допустимым для применения с точки зрения механической прочности и устойчивости от коррозии, найдем что при отведении для первичной обмотки s / 4 полезной площади намотки каркаса в ней может уместиться 5000 витков. [9]
В случае, если рассчитываемый каскад является выходным, величина R Д0б задана. В остальных случаях RH доб представляет собой результирующее активное входное сопротивление последующего каскада с учетом элементов питания и стабилизации. [10]
Источником сигнала для межкаскадного трансформатора является выходная цепь усилительного элемента рассчитываемого каскада, а нагрузкой вторичной обмотки - входная цепь усилительного элемента следующего каскада. В ламповом усилителе нагрузкой вторичной обмотки межкаскадного трансформатора является входное сопротивление лампы следующего каскада, практически равное сопротивлению ее входной динамической емкости, а также сопротивление шунта R2, иногда подключаемого параллельно вторичной обмотке трансформатора. В транзисторном усилителе нагрузкой вторичной обмотки межкаскадного трансформатора является входное сопротивление транзистора следующего каскада, практически активное в диапазоне звуковых частот. [11]
Так как полученное значение тн 14 не меньше допустимого для рассчитываемого каскада, целесообразно увеличить сопротивление RK, чтобы можно было работать при меньшем токе транзистора. [12]
Источником сигнала для межкаскадного трансформатора является выходная цепь усилительного элемента рассчитываемого каскада, а нагрузкой вторичной обмотки - входная цепь усилительного элемента следующего каскада. [13]
При включении транзистора следующего каскада с общим эмиттером или общим коллектором характеристики рассчитываемого каскада в области верхних частот обычно определяются динамической емкостью эмиттерного перехода транзистора следующего каскада C3gCjl, его динамическим сопротивлением г а -) сл и выходным сопротивлением рассчитываемого каскада R еыг с учетом цепей смещения и стабилизации следующего. [14]
При включении транзистора следующего каскада с общим эмиттером или общим коллектором характеристики рассчитываемого каскада в области верхних частот обычно определяются динамической емкостью эмиттерного перехода транзистора следующего каскада Сэа сл i его динамическим сопротивлением гаэ сл и выходным сопротивлением рассчитываемого каскада Явых с учетом цепей смещения и стабилизация следующего. [15]