Cтраница 3
Сравнение результатов, даваемых приведенным выше расчетом, с результатами, получаемыми при учете зависимости емкости Со от частоты, показывает, что в последнем случае, когда рассчитываемый каскад работает на другой каскад с частотно-зависимей обратной связью в цепи катода величина корректирующей емкости оказывается в 2 - 2 5 раза меньшей, чем в первом случае. [31]
Практика показала, что при эмиттерной коррекции сопротш - ление резистора R в цепи коллектора корректируемого каскада следует брать порядка входного сопротивления транзистора -, на который работает рассчитываемый каскад; нужную полосу пропускания или время установления каскада обеспечивают выбором глубины обратной связи, создаваемой резистором Ra. [32]
![]() |
К примеру а - построение нагрузочной прямой на семействе статических выходных характеристик транзистора для включения с общей базой. б - входная и в - сквозная характеристики. [33] |
Поэтому несмотря на то, что в схеме с общей базой Aziamin не влияет существенно на работу каскада, для уменьшения мощности, потребляемой делителем смещения, желательно иметь ftjiamin возможно более высоким; например, если для рассчитываемого каскада взять транзистор, имеющий h lamtn b, то сопротивление делителя возрастает в 3 раза, а следовательно втрое уменьшится потребляемая им мощность. [34]
При включении транзистора следующего каскада с общим эмиттером или общим коллектором характеристики рассчитываемого каскада в области верхних частот обычно определяются динамической емкостью эмиттерного перехода транзистора следующего каскада Сэа сл i его динамическим сопротивлением гаэ сл и выходным сопротивлением рассчитываемого каскада Явых с учетом цепей смещения и стабилизация следующего. [35]
При включении транзистора следующего каскада с общим эмиттером или общим коллектором характеристики рассчитываемого каскада в области верхних частот обычно определяются динамической емкостью эмиттерного перехода транзистора следующего каскада C3gCjl, его динамическим сопротивлением г а -) сл и выходным сопротивлением рассчитываемого каскада R еыг с учетом цепей смещения и стабилизации следующего. [36]
Поэтому, несмотря на то, что в схеме с общей базой величина / i2ia мин не влияет существенно на работу каскада, для уменьшения мощности, потребляемой делителем смещения, желательно иметь hzi3 мин возможно более высоким; например, если для рассчитываемого каскада взять транзистор, имеющий / 12имин15, то сопротивление делителя возрастает в три раза, а следовательно, втрое уменьшится потребляемая им мощность. [37]
Резисторы R в коллекторной цепи и режим работы транзисторов в каскаде с потенциом етрической связью выбирают, как в обычном резйсторном каскаде предварительного усиления, а ток / п через резистор - Rn берут одного порядка с током покоя коллектора / ок транзистора рассчитываемого каскада. [38]
Резистор R в коллекторной цепи и режим работы транзистора в каскаде с потенциометрической связью ( рис. 8.4 а) выбирают, как в обычном резисторном каскаде предварительного усиления, а ток / п через резистор Rn берут одного порядка с током покоя коллектора / ок транзистора рассчитываемого каскада. [39]
Все расчеты, требующие знания связи между полными ( постоянными) напряжениями и токами в цепях электродов усилительного прибора, в принципе можно выполнить с помощью упомянутых двух семейств статических характеристик для одного способа включения этого прибора, не обязательно совпадающего со схемой его включения в рассчитываемом каскаде. Однако расчеты упрощаются и их точность повышается, если используемые семейства соответствуют анализируемой схеме включения усилительного прибора. Способы включения по цепям усиливаемого сигнала и по цепям питания ( при питании от двух независимых источников) могут не совпадать, например биполярный транзистор в усилительном каскаде с общим эмиттером можно питать от двух источников, общий полюс которых подключен к базе. В таких случаях расчеты, связанные с сигнальными цепями и цепями питания, бывае. [41]
Расчет коэффициента гармоник каскада производят тем же методом, что и в примере 6 - 5, но ток / [ соответствующий половине амплитуды сигнала, находят по сквозной динамической характеристике, построенной для сопротивления источника сигнала Rn, равного выходнэ-му сопротивлению предыдущего каскада, приведенному к половине вторичной обмотки входного трансформатора рассчитываемого каскада. Так, при Ra 2 ом и коэффициенте асимметрии плеч 6 0 06 расчет дает значение / гг-4 %, что по условию допустимо. [42]
Выбрав La так, чтобы резонанс имел место там, где частотная характеристика реостатного каскада падает из-за влияния С0, можно сильно расширить полосу усиливаемых каскадом частот и даже получить подъем частотной характеристики на верхних частотах. В транзисторном усилителе параллельная высокочастотная коррекция действует точно так же; здесь емкость Со образуется выходной емкостью транзистора рассчитываемого каскада н входной динамической емкостью следующего. [43]
![]() |
Переходные характеристики многокаскадных ламповых усилителей с резистивно-емкостной связью. [44] |
Расчеты многокаскадных транзисторных усилителей осложняются тем обстоятельством, что в качестве сопротивления нагрузки во всех каскадах, кроме последнего, выступает входное сопротивление следующего каскада, небольшое по величине, существенно зависящее от типа транзистора, его режима и схемы каскада, а в некоторых случаях и от характеристик ряда следующих каскадов. В области верхних частот внутренняя обратная связь, свойственная транзисторам, может приводить к сильной взаимозависимости характеристик всех каскадов. Аналогичные трудности могут возникать в связи с влиянием характеристик предшествующих каскадов на сопротивление эквивалентного генератора рассчитываемого каскада. [45]