Графитовая кассета

Cтраница 2

Обычно одновременно с вплавлением индия в германий производят припайку исходного кристалла к кристаллодержателю. В этом случае в графитовую кассету закладывают никелевый или ко-варовый кристаллодержатель, залуженный, например, оловом с присадкой сурьмы. После сплавления кристалл с переходом подвергают химическому или электролитическому травлению для удаления возможных загрязнений. Остатки травителя смывают дистиллированной водой. [16]

Общий вид твэла установки Ромашка. [17]

Активная зона реактора цилиндрической формы, содержит 11 твэлов. Твэл в форме диска из дикарбида помещается в графитовую кассету. [18]

После нанесения припоя производят сборку узла под пайку. Чтобы обеспечить правильное взаимное расположение деталей, сборку производят в групповой оправке - графитовой кассете. Во избежание загрязнений во время пайки и для обеспечения необходимой точности механической обработки графит должен обладать высокой чистотой и плотностью. Кассеты обычно бывают снабжены пружинками, грузиками или зажимами для обеспечения плотного прилегания пластинки полупроводника к кристаллодержа-телю. Это помогает обеспечить смачивание деталей припоем. Из тех же соображений полезно применять кристаллодержатель такой конструкции, чтобы площадь контакта до сплавления была небольшой. Тогда, прилагая небольшое усилие, можно создать давление, достаточное для хорошего смачивания. [19]

Общий вид вакуумной установки с высокочастотным нагревом. [20]

Индуктор выполнен в виде спирали из медной трубки, внутри оторо циркулирует вода. Индуктор генератора надевают на кварцевый колпак, внутри которого находятся графитовые кассеты. Витки индуктора при прохождении электрического тока создают внутри кварцевого колпака электромагнитное поле. Силовые линии этого поля пронизывают графитовые кассеты и возбуждают в них вихревые токи, которые разогревают графитовые кассеты до требуемой температуры. Изменяя ток индуктора, можно менять в широких шределах температуру обрабатываемых деталей. [21]

В настоящее время наиболее воспроизводимыми результатами по характеристикам лазерных диодов обладают гетероструктуры, полученные при температурах эпи-таксии 870 - 900 С, при которых сочетается относительно низкая скорость роста и воспроизводимое введение алюминия в решетку арсенида галлия. В качестве подложки для эпитаксиального выращивания двойных гетероструктур используются пластины монокристаллического арсенида галлия я-типа. Структуры выращиваются методом жидкостной эпитаксии в атмосфере чистого водорода в мно-гопозиционной графитовой кассете с фильтрацией растворов. [22]

Для применения в космосе разработаны термоэлектрические источники питания с ядерными реакторами. Реактор 6 установлен в центре генератора. Активная зона реактора состоит из 11 дисковых ТВЭЛов, помещенных в графитовые кассеты, радиального отражателя из графита, внешнего отражателя 7 из металлического бериллия и торцевого отражателя 5 также из бериллия. [23]

Достигнутая степень однородности поля температурного градиента иллюстрируется рисунком. На рисунке представлен микрошлиф поперечного сечения образца, в центральной части которого толщиной h перемещалась зона. Как видно из рисунка, границы областей, подвергнутых зонной плавке с градиентом температуры, весьма близки к параллельным плоскостям. Использовались алундовые или графитовые кассеты; в некоторых опытах образцы зажимались между алундовыми, графитовыми или молибденовыми плоскопараллельными пластинами. [24]

Однако если в германиевых сплавно-диффузионных приборах увеличить периметр эмиттера сравнительно несложно, то для кремниевых транзисторов эта задача намного сложнее. Дело в том, что при той температуре, которая должна поддерживаться в процессе диффузии в кремний из расплава или рекристаллизованного слоя ( порядка 1200 С), нельзя использовать для ограничения растекания расплава никаких кассет: любой металл или даже наиболее чистый графит будут вносить в полупроводник слишком много загрязнений. В то же время свободно лежащая на поверхности кремния жидкая капля будет стремиться принять круглую форму, наиболее невыгодную с точки зрения увеличения отношения периметра к площади. И если в германиевых транзисторах, для того чтобы получить эмиттер с более выгодными очертаниями - в виде полоски или кольца, достаточно использовать графитовые кассеты, то в кремниевых сплавно-диффузионных транзисторах приходится искать более сложные пути, например, создавать предварительно в кристалле углубления, имеющие требуемую форму. [25]

Рассмотрим вплавление трехвалентного металла индия в электронный германий. Монокристаллический германий разрезают на пластинки. Для очистки поверхности от загрязнений и удаления механических нарушений пластинки подвергают травлению. Дозированный в виде шариков или дисков индий также очищают путем травления. После промывки в дистиллированной воде и сушки германиевые пластинки и индиевые навески закладывают в графитовые кассеты ( рис. В. Кассеты помещают в печь и нагревают до температуры 500 - 600 С в атмосфере водорода, аргона или в вакууме. При такой температуре индий расплавляется и, смачивая поверхность германия, постепенно растворяет его ( рис. В. Во время выдержки ( около 10 мин) при высокой температуре устанавливается равновесная концентрация германия, растворенного в индии. При охлаждении растворимость германия в индии уменьшается. [27]

Страницы: 1 2