Граничная длина - волна - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Молоко вдвойне смешней, если после огурцов. Законы Мерфи (еще...)

Граничная длина - волна

Cтраница 1


Граничная длина волны fe - серии характеристического рентгеновского излучения некоторого элемента равна 0 1284 нм.  [1]

Граничная длина волны ( фотоэлектрическая граница) Л0 всех металлов, кроме щелочных, лежит в ультрафиолетовой или фиолетовой части спектра.  [2]

3 Схема Станфордского лазера на свободных электронах, работающего в режиме генератора. Вблизи зеркал, кроме поля ондулятора, использовалось ведущее поле для ввода и вывода электронного пучка ( из. [3]

Длинноволновая граничная длина волны для ЛСЭ примерно равна 1 мм. Диапазон, перекрываемый ЛСЭ, простирается за видимую область спектра и проникает в область рентгеновского диапазона. В любой конструкции ЛСЭ перестройка частоты ограничивается возможностями электронного ускорителя, но можно утверждать, что без особых конструктивных изменений перестройка частоты ЛСЭ возможна в пределах декады.  [4]

Эта граничная длина волны никогда не может быть много больше поперечных размеров В.  [5]

При граничной длине волны для ТЕИ, равной - 15 см, теоретически может распространяться 23 типа волн. В этом случае с удовлетворительной точностью без существенных нарушений могло быть зарегистрировано движение поршня.  [6]

Как видим, граничная длина волны имеет порядок периметра сечения волновода.  [7]

Для большого числа ламп граничная длина волны располагается в метровом диапазоне.  [8]

9 ДУ электродами рентгеновской трубки. На. [9]

Исследования показали, что граничная длина волны Ямин зависит от кинетической энергии WK электронов, вызывающих тормозное рентгеновское излучение. При увеличении WK длина волны А ннн уменьшается.  [10]

Так, например, для германия граничная длина волны составляет примерно 1 8 мкм. Однако спад фотопроводимости наблюдается и в области малых длин волн. Это объясняется быстрым увеличением поглощения энергии с частотой и уменьшением глубины проникновения падающей на полупроводник электромагнитной энергии. Поглощение происходит в тонком поверхностном слое, где и образуется основное количество носителей заряда. Появление большого количества избыточных носителей только у поверхности слабо отражается на проводимости всего объема полупроводника, потому что скорость поверхностной рекомбинации больше объемной, а также потому, что проникающие вглубь неосновные носители заряда увеличивают скорость рекомбинации в объеме полупроводника.  [11]

Поэтому при длинах волн, больших граничной длины волны спектральной серии, поглощение и ионизация обусловлены ступенчатыми процессами.  [12]

Удобство этих фильтров заключается в том, что граничная длина волны фильтруемого излучения зависит только от постоянной решетки b и может быть выбрана произвольно.  [13]

Для данного соединения может быть получен целый ряд граничных длин волн. В тонких слоях ( t - 1 мкм) максимум чувствительности может иметь место при значительно более коротких длинах волн, чем край поглощения. Чтобы увеличить поглощение, пленки иногда осаждаются на поверхность, предварительно покрытую золотом.  [14]

Точка, в которой кривая спектрального распределения пересекает ось длины волны, указывает граничную длину волны АО.  [15]



Страницы:      1    2    3    4