Катод - прибор
Cтраница 1
Катоды приборов, работающих при низких потенциалах на электродах, отравляются в основном из-за химического взаимодействия остаточных газов с оксидным покрытием, а катоды высоковольтных приборов отравляются в основном в результате их бомбардировки положительными ионами. [1]
 |
Устройство электровакуумных фотоэлементов. [2] |
Катод прибора соединяется с минусом источника постоянного напряжения Е, а анод - с плюсом. В цепь анода включается резистор нагрузки Дн. Под действием светового потока фотокатод эмигрирует электроны, которые увлекаются положительным полем: анода. [3]
Электронный луч, посылаемый от катода прибора на изучаемый объект, обусловливает взаимодействие с ним. Информация о природе объекта, его составе, форме, кристаллической и электронной структуре, внутренних электрических или магнитных полях может быть получена при различных взаимодействиях. С одной стороны, это процессы, которые воздействуют на траектории электронов пучка внутри образца без существенного изменения их энергии. [4]
 |
Условные графические обозначения динистора VSi и тринистора KSa на электрических схемах. [5] |
В закрытом состоянии сопротивление промежутка анод - катод прибора велико и обратно пропорционально значению тока / зс. В пределах участка / увеличение анодного напряжения мало влияет на ток, пока не будет достигнуто напряжение ( точка а характеристики), при котором в четырехслойной полупроводниковой структуре наступает лавинообразный процесс нарастания то - - ка, и динистор переключается в открытое состояние. [6]
 |
Вольт-амперная - характеристика тиристора. [7] |
У большинства диодов и тиристоров металлический корпус имеет потенциал анода либо катода прибора. Более удобны для конструирования преобразователей приборы с изолированным корпусом или основанием, через которое происходит отвод тепла. [8]
Гексаборид лантана благодаря его высоким термоэмиссионным свойствам может быть использован для изготовления катодов мощных сверхвысокочастотных приборов. Однако низкий коэффициент вторичной эмиссии не дает возможности применять его для магнетронных катодов. [9]
Обычный УПВ с тремя выводами включают, заставляя ток протекать между управляющим электродом и катодом прибора. [10]
 |
Электронные скорости и температуры в цилиндрическом магнетроне в развитом режиме генерации. [11] |
Анодный ток / а с ростом амплитуды волны быстро нарастает, и в какой-то момент катод прибора переходит в режим термоэмиссии. Перед этим наблюдается более быстрый рост анодного тока, а затем анодный ток резко падает, так как в рассматриваемом магнетроне тепловая эмиссия мала для поддержания анодного тока. Переход в режим термоэмиссии является следствием того, что электронное облако несколько удаляется от катода, механизм вторично-эмиссионного восполнения электронов нарушается и развивается лавинообразный распад облака пространственного заряда. [12]
Типовая схема включения цифрового индикатора показана на рис. 16.6. Свечение необходимой цифры индикатора достигается включением напряжения на соответствующий катод прибора. В качестве переключающих элементов удобно применять транзисторы, как это и показано а схеме. Если, например, используются транзисторы, то в каждый момент времени должны проводить все транзисторы, кроме одного, коллектор которого присоединен к светящемуся катоду. Действительно, при этом потенциалы всех катодов, кроме одного, получаются достаточно высокими, и разность потенциалов между ними и анодом индикатора недостаточна для зажигания разряда. [13]
Плюс напряжения и подан на эмиттер 7, служащий анодом прибора, минус - на эмиттер транзистора Т2, служащий катодом прибора. При плавном увеличении напряжения ток анода сначала нарастает слабо, так как при указанной полярности напряжения питания эмиттерные переходы транзисторов смещены в прямом направлении, а коллекторные - в обратном. Закрытый переход одного транзистора ограничивает базовый ток другого. Однако при большом напряжении ток коллекторного перехода каждого транзистора начинает возрастать, что вызвано как возрастанием утечки тока через закрытые коллекторные переходы, так и лавинным увеличением числа носителей заряда в предпробойном состоянии. Так как при / у О / К1 / б2 и / К2 / бь то рост тока коллекторного перехода одного транзистора приводит к увеличению базового тока другого. Коэффициент усиления по току В каждого из транзисторов зависит от эмиттерного тока. При малых напряжениях, когда эмиттерные токи соизмеримы с обратным током коллекторного перехода, значение В очень мало и усиления по току не происходит. Ток / К2протекает через открытый эмиттер-ный переход транзистора 7 к плюсу источника и задает базовый ток / 61, который тоже увеличивается. Так как / Ki 5i / 6i то ток коллектора / 1 в результате усиления транзисторами возрастает в ВгВг раз. [14]
Плюс напряжения и подан на эмиттер 7, служащий анодом прибора, минус - на эмиттер транзистора Т2, служащий катодом прибора. При плавном увеличении напряжения ток анода сначала нарастает слабо, так как при указанной полярности питающего напряжения эмиттерные переходы транзисторов смещены в прямом направлении, а коллекторные - в обратном. Закрытый переход одного транзистора ограничивает базовый ток другого. Однако при большом напряжении ц ток коллекторного перехода каждого из транзисторов начинает возрастать, что вызвано как увеличением тока утечки через закрытые коллекторные переходы, так и лавинным увеличением чирла носителей заряда в предпробойном состоянии. Так как при гу 0 гкт г Й2 и t K2 i6l, увеличение тока коллекторного перехода однЬго транзистора приводит к увеличению базового тока другого. Коэффициент усиления по току В каждого из транзисторов зависит от э) миттерного тока. При малых напряжениях, когда эмиттерные токи соизмеримы с обратным током коллекторного переходи. В очень мало и усиления по току не происходит. Ток гк2, протекая через открытый эмиттерный переход транзистора 7 к плюсу источника и, задает базовый ток t 6l, который тоже увеличивается. [15]
Страницы: 1 2 3