Катод - прибор
Cтраница 3
Как было показано в предыдущей главе, при определенных условиях электроны могут покидать поверхность твердого тела и выходить в окружающее пространство. Явление испускания электронов с поверхности твердого тела называется электронной эмиссией. Тело, являющееся источником электронной эмиссии, называют эмиттером электронов. В тех случаях, когда эмиттер является первичным источником свободных электронов, обеспечивающим работу электронного прибора, он служит катодом прибора. [31]
 |
Простейшее фотореле.| Схема устройства фотоэлектронного умножителя. [32] |
В них усиление фототока осуществляется внутри баллона прибора путем использования вторичной электронной эмиссии. Поток электронов, освобождаемых под действием света фотокатодом К, направляется электрическим ( рис. 11 - 52) или магнитным полем последовательно на ряд эмиттеров ЭВ - вспомогательных электродов. При прохождении каждого эмиттера поток электронов увеличивается за счет вторичных электронов освобождаемых эмиттером, под действием ударов электронного потока. Таким образом, вследствие многократного использования вторичной эмиссии поток электронов у анода, называемого в фотоэлектронных умножителях коллектором, оказывается во много раз больше потока фотоэмиссии катода прибора. Благодаря такому внутреннему усилению чувствительность фотоэлектронных усилителей чрезвычайно высока и достигает 1 - 10 а / лм. Однако не следует думать, что фотоэлектронные умножители рассчитаны на большие выходные токи, - эти токи у них не превышают 10 - 15 ма. Чтобы подчеркнуть то, что фотоэлектронные умножители рассчитаны на работу при очень малых освещенностях и дают небольшие выходные токи, их чувствительность часто указывается в микроамперах на. [33]
Однако коллекторный ток транзистора VT2 является базовым током второго транзистора и, протекая в цепи базы транзистора VT t открывает последний. Эмиттерный и коллекторный токи транзистора VT возрастают, растет и коэффициент аь Коллекторный ток VT, протекая в цепи базы транзистора VT2 и складываясь с током управляющего электрода / у, приводит к дальнейшему росту эмиттерного и коллекторного токов транзистора VTj. Таким образом, благодаря действию внутренней положительной обратной связи потоку создаются условия для лавинного нарастания тока через р-п-р-п структуру ( 16) и прибор переключается в открытое состояние. Следует обратить внимание на то, что ток управляющего электрода / у позволяет увеличить коэффициент аз и таким образом начать процесс лавинообразного нарастания тока через р-п-р-п структуру независимо от значения напряжения 1 / Пит, действующего меж-ду анодом и катодом прибора. [34]
Электрический разряд в газе сопровождается столкновениями электронов с атомами газа. Вероятность этих столкновений зависит от давления в газе и оценивается средней длиной свободного пробега электрона в нем. Результат столкновения электрона с ато - лом газа различен а зависимости от энергии электрона. При малых энергиях электронов происходят упругие столкновения с атомами газа, сопровождающиеся только изменениями скоростей ( точнее импульсов движения) атома и электрона. С повышением напряже - - ння-между анодом и катодом прибора энергия электронов возрастает и столкновения приобретают неупругий характер. Основными видами таких столкновений являются возбуждение и ионизация атомов газа электронами. [35]
Лантан применяют также для легирования легких магния сплавов. Магниевый сплав, содержащий до 1 % La, используют для изготовления оболочек тепловыделяющих элементов из урана, эксплуатируемых при т-ре порядка 400 С. К одним из лучших относится литейный магниевый сплав марки ВМЛЗ ( 0 6 - 1 3 % La), обладающий высокой коррозионной стойкостью, герметичностью и плотностью, хорошей свариваемостью ар-гоно-дуговой сваркой. Легированные лантаном магниевые сплавы, обладая высоком коэфф. Добавки мишметалла, содержащего до 1 % La, в алюминия сплавы улучшают прочность на разрыв, жаростойкость, сопротивление вибрации и коррозии, не увеличивая электрическое сопротивление. Создан катодный материал на основе вольфрама, пропитанного лантанскандие-вым сплавом. Сплав лантана ( 18 %) с алюминием ( 82 %) используют в качестве стандартного нейтроноак-тивационного детектора. Для геттеров вакуумных приборов используют преим. Отот сплав активно поглощает азот и окись углерода, но мало чувствителен к водороду. Соединение лантана с бором - гекса-борид лантана ( LaBe) применяют для изготовления катодов мощных элект-тронных приборов, а также ускорителей заряженных частиц - циклотронов, синхрофазотронов, электрсн-ных пушек, в установках для сварки электронным лучом в вакууме, в печах с электронным подогревом. [36]
Страницы: 1 2 3