Виртуальный катод

Cтраница 1

Типичные кривые распределения потенциала в диоде, когда Уг V %. [1]

Пока виртуальный катод не возник и от 0, все электроны, вылетевшие из катода, попадают на анод. [2]

С виртуальный катод, перемещаясь к аноду, может зайти дальше того места sv0, в котором он первоначально возник при переходе из второго режима диода в третий. [3]

Зависимость плотности анодного тока диода и положения виртуального катода от плотности тока электронов, влетающих в диод через сетку при F1Vr2. [4]

С виртуальный катод исчезает. [5]

Построение зависимости крутизны по первой сетке от напряжения третьей сетки для пентода 6Ж2Б. [6]

Этот виртуальный катод вместе с третьей сеткой и анодом лампы образует триодную систему, величина анодного тока которой может изменяться при изменении разности потенциалов между третьей сеткой и минимумом потенциала, созданного объемным зарядом. [7]

Динамика виртуального катода в этом режиме качественно подобна динамике виртуального катода в диоде Пирса при том же значении тока пучка а. Однако колебания виртуального катода демонстрируют более сложную динамику, что связано со взаимодействием через поле пространственного заряда электронной структуры ( виртуального катода), имеющей характерный временной масштаб динамики порядка плазменного периода - 2тг / и р, и вихревой структуры в потоке ионов, временной масштаб динамики которой существенно больше. [8]

Зависимость приведенного анодного тока ( 2 и xm / d от Ua / Ui для приведенного входящего тока / 10 и / а 2 5. [9]

Исчезновение виртуального катода здесь происходит без скачка тока. При обратном ходе изменения в точке А характеристики виртуальный катод не возникает и характеристика остается горизонтальной до точки В, где состояние без виртуального катода теряет устойчивость. При 1 С J С 4 отличие характеристики от только что рассмотренной заключается в том, что при увеличении ( состояние с виртуальным катодом теряет устойчивость при i s i в точке характеристики С, где касательная к ней вертикальна. Поэтому скачок тока получается и при распаде виртуального катода и при его появлении. [10]

Возникновение виртуального катода: J - область, где ркЛладают плавыснаые ионы; - область, где преобладают катодные электроны. [11]

Назовем виртуальным катодом ту плоскость в диоде, на которой при больших плотностях тока минимум потенциала падает до нуля. [12]

Характеристики крутизны для типовых пентагридных смесительных.| Компенсация связи через пространственный. [13]

Образующий этот виртуальный катод отрицательный пространственный заряд пропорционален току, достигающему С3, и, следовательно, пропорционален напряжению гетеродина в те моменты времени, когда лампа отперта. Когда лампа запирается, пространственный заряд уменьшается до нуля. При увеличении отрицательного пространственного заряда этот заряд отталкивается отрицательно заряженной сигнальной сеткой и наводит поток электронов от сигнальной сетки к катоду по внешней цепи. При уменьшении отрицательного пространственного заряда, что происходит, когда напряжение гетеродина имеет наибольшую положительную величину, пространственный заряд перемещается ближе к сигнальной сетке и наведенные заряды протекают в цепи этой сетки в противоположном направлении. [14]

Когда возникает виртуальный катод, то только часть электронов, пролетевших через сетку, попадает на анод, а другие электроны, достигнув виртуального катода, начинают двигаться в обратном направлении и возвращаются назад к сетке. Таким образом, поток электронов, влетевших через сетку в диод, достигнув плоскости виртуального катода, разделяется на два потока: на поток, который проходит через виртуальный катод к аноду, и на поток электронов, возвращающихся обратно к сетке. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5