Виртуальный катод

Cтраница 4

Характеристики высокочастотного пентода 6К4. - - - - - - - - - - - - - анодные. - - - - - - - - - - - - - - - - - экранно-анодные. [46]

Малое расстояние между управляющей сеткой и виртуальным катодом обеспечивает большое значение крутизны лампы, а значительное расстояние между управляющей и прикатодными сетками обусловливает малую входную емкость. Это является причиной высокой добротности1) ( порядка 200 - 500 МгЦ) пентодов с прикатодной сеткой. [47]

В этом случае электроны останавливаются перед виртуальным катодом и разворачиваются, что приводит к смещению виртуального катода и максимума плотности пространственного заряда в сторону плоскости инжекции. Кроме того, величина плотности пространственного заряда быстро увеличивается, так как практически все электроны оказываются захваченными движущимся к входной плоскости виртуальным катодом, образующим сгусток электронов. По мере приближения к плоскости инжекции величина потенциального барьера уменьшается и в некоторый момент времени становится меньше кинетической энергии влетающих электронов. Снижение величины потенциального барьера продолжается и после того, как отраженные электроны покидают пространство взаимодействия. Инжектируемые электроны теперь легко преодолевают уменьшившийся потенциальный барьер и двигаются к выходной плоскости промежутка. Виртуальный катод начинает смещаться к выходной плоскости диода до тех пор, пока не восстановится потенциальный барьер достаточной высоты для отражения электронов. Ток отраженных от виртуального катода и пролетных электронов оказывается промоделированным на частоте ио колебаний виртуального катода, которая, как будет обсуждаться дальше, связана с невозмущенной плазменной частотой пучка шр. [48]

Прогнозируемые диапазоны частот и мощностей, которые смогут достичь различные классы приборов мощной СВЧ-электроники ( из работы. [49]

Значительный интерес и успех генераторов на виртуальном катоде определяется местом этого нового класса приборов среди традиционных устройств СВЧ-электроники. Предшественниками и наиболее близкими по идее виркаторам являются такие хорошо известные генераторы СВЧ-излучения, как генератор Баркгаузена Курца ( см. гл. [50]

Соотношение между пролетным ( / Пр и отраженным ( / ОТр током в диодном промежутке без нейтрализации ионным фоном при различных. [51]

Отсюда следует, что характерная частота колебаний виртуального катода зависит от невозмущенной плазменной частоты электронного пучка и растет линейно с увеличением ир. [52]

В нее захватываются частицы, отраженные от виртуального катода и имеющие небольшую скорость при подходе к выходной плоскости. Эти частицы образуют вихревую автоструктуру, взаимодействие между ней и виртуальным катодом приводит к усложнению динамики в потоке. Вихревую автоструктуру можно связать со второй когерентной структурой, выделенной с помощью обработки данных вейвлетной бикогерентностью, так как расположение этих структур, а также характерные пространственные и временные масштабы их динамики близки. [53]

Область распределения потенциала б соответствует неустойчивому состоянию виртуального катода ( UmQ), возникающему между экранирующей сеткой и анодом. По обе сто-в области меж - роны от виртуального катода устанавливаются распределения потенциала, соответствующие закону степени трех вторых при этих значениях тока. [54]

При исследовании систем типа электронный поток с виртуальным катодом, взаимодействующий с электромагнитным полем было предложено несколько простых моделей, которые отражали те или иные характерные особенности нелинейного поведения системы со сверхкритическим током. Так в первом томе книги в лекции 4 рассматривалась модель гидродинамического диода Пирса, построенная с помощью Галеркинской аппроксимации. [55]

Предыдущее рассмотрение процессов в электронном потоке с виртуальным катодом в плоском пролетном промежутке проводилось в рамках предположения, что ионы, заполняющие междусеточное пространство и составляющие ионный фон с плотностью положительного заряда п Pi / pe 1 неподвижны. [56]

Исследование частотного спектра одномерной СВЧ системы на виртуальном катоде / / Физика плазмы. [57]

Совершенно ясно, что с уменьшением а с виртуальный катод должен монотонно перемещаться по направлению к аноду. Физически бессмысленно ожидать, что с ростом тока / е виртуальный катод не начнет двигаться к сетке, а будет продолжать двигаться к аноду. Поэтому в изучаемом сейчас примере координата s vm определяет то наибольшее расстояние от идеальной сетки, на которое может передвинуться виртуальный катод. [58]

При переходе в область положительных потенциалов третьей сетки виртуальный катод рассасывается, возврат электронов на вторую сетку прекращается и дальнейшее увеличение потенциала третьей сетки мало Сказывается на величине анодного тока. Поэтому характеристики зависимости анодного тока от напряжения третьей сетки при постоянных напряжениях остальных электродов имеют значительную крутизну в области отрицательных напряжений и становятся пологими при положительной третьей сетке. [59]

В предельном случае, если QJ 0, виртуальный катод совпадает с физической границей катод - диэлектрик. В этих условиях прианодная область простирается через весь диэлектрик, а на границе катод - диэлектрик контакт перестает быть омическим. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5