Обычный оксидной катод - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Дети редко перевирают ваши высказывания. В сущности они повторяют слово в слово все, что вам не следовало бы говорить. Законы Мерфи (еще...)

Обычный оксидной катод

Cтраница 2


При повышении рабочей температуры возрастает плотность тока электронной эмиссии. Конструкция катода позволяет доводить его температуру до 1350 С, сохраняя долговечность в 1000 час. Однако при этом возникают большие трудности с подогревателем, так как температура его керна и изоляции должна быть намного выше, чем у обычного оксидного катода.  [16]

СВЧ, является обеспечение высокой плотности рабочего тока эмиссии, обычно пропорциональной квадрату рабочей частоты. Запас активного вещества осуществляется либо помещением внутри спец. Последние являются предельным вариантом обычных оксидных катодов с металлизацией слоя. Высокая эмиссионная способность этих катодов обеспечивается возобновляющейся пленкой Ва ( или его соединений) на вольфрамовой или никелевой поверхности за счет диффузии Ва из объема К.  [17]

Эти катоды делаются обычно прямонакаль-ными на тугоплавких кернах: проволоке или ленте из вольфрама, молибдена, тантала. Последнее определяется их высокой рабочей температурой, значительно большей, чем у оксидных катодов. Технология покрытия керна эмитирующим веществом аналогична технологии обычного оксидного катода. При применении окиси тория, являющейся дорогим исходным материалом, методу пульверизации предпочитают катафорез.  [18]

СВЧ, является обеспечение высокой плотности рабочего тока эмиссии, обычно пропорциональной квадрату рабочей частоты. Па сантиметровых волнах требуется плотность эмиссии до многих десятков / еж2; и а миллиметровых волнах она достигает сотен а / смг. Запас активного вещества осуществляется либо помещением внутри спец. Последние являются предельным вариантом обычных оксидных катодов с металлизацией слоя. Высокая эмиссионная способность этих катодов обеспечивается возобновляющейся пленкой Ва ( или его соединений) на вольфрамовой или никелевой поверхности за счет диффузии Ва из объема К.  [19]



Страницы:      1    2