Cтраница 2
![]() |
Рентгеновский спектрограф для вакуумной области спектра. [16] |
Иногда в качестве отражающего кристалла используют кристаллы гипса, кальцита, топаза или кварцевые пластины с другой системой отряжающих плоскостей. [17]
Большое влияние на качество кристаллов оказывает интенсивность перемешивания расплава. При выращивании кристаллов без перемешивания расплава наблюдается тенденция к уменьшению содержания тантала в верхней части расплава вследствие преимущественного вхождения его в растущий кристалл. [18]
Большое влияние на качество кристаллов бикарбоната оказывает также концентрация СО2 в-газе, питающем колонну, и распределение поступающих в колонну газовых потоков. [19]
Большое влияние на качество кристаллов бикарбоната оказывает также концентрация СО2 в газе, питающем колонну, и распределение поступающих в колонну газовых потоков. [20]
![]() |
Продольный разрез загруженной печи. [21] |
Поэтому для повышения качества кристаллов, стабильности и производительности процесса их получения в Институте проблем материаловедения АН УССР была проведена работа по изысканию технологических условий образования и роста монокристаллов SiC методом сублимации технического карбида кремния в графитовых контейнерах специальной конструкции на базе использования промышленных печей и технологического процесса производства технического карбида кремния. [22]
![]() |
Продольный разрез загруженной печи. [23] |
Поэтому для повышения качества кристаллов, стабильности и производительности процесса их получения в Институте проблем материаловедения АН УССР была проведена работа по изысканию технологических условий образования и роста монокристаллов SiC методом сублимации технического карбида кремния в графитовых контейнерах специальной конструкции на базе использования промышленных печей и технологического процесса производства технического карбида кремния. [24]
В качестве показателя качества кристаллов гидробоната натрия выбрано содержание влаги в лепешке соли ( в %), отфильтрованной на лабораторной установке в стандартных условиях. [25]
При всех принятых мерах качество кристаллов NaHCO3 значительно хуже, чем в карбонизационных колоннах обычного содового процесса. Полученный по такому методу хлористый аммоний содержит 96 - 98 % NH4C1 и примеси NaCl, NaHCO3 и промежуточной соли. [26]
При всех принятых мерах качество кристаллов NaHCO3 значительно хуже, чем в карбонизационных колоннах обычного содового процесса. Полученный по такому методу хлористый аммоний содержит 96 - 98 % NH4C1 и примеси NaCI, NaHCO3 и промежуточной соли. [27]
Режим карбонизации влияет на качество кристаллов бикарбоната, на величину удельного расхода рассола и, следовательно, на расход тепла при кальцинации. Режим работы печей отделения кальцинации существенно влияет на удельный расход топлива. В отделении дистилляции режим отгонки углекислоты, необходимой для предотвращения непроизводительных потерь извести и аммиака, влияет на удельный расход пара и известкового молока. Режим работы цеха известковых печей определяет себестоимость известкового молока. [28]
Производительность осадительной колонны лимитируется качеством кристаллов или скоростью роста кристаллических зародышей NaHCOg. Последняя определяет необходимое время пребывания суспензии в колонне, зависящее от рабочей емкости колонны. В случае предварительной карбонизации кристаллизация в колонне начинается раньше, в более верхних зонах, и рабочая емкость, занимаемая суспензией, увеличивается. [29]
![]() |
Температурная зависимость диэлектрической проницаемости кристаллических образцов, отобранных из различных участков були, полученной видоизмененным методом Киропулоса. [30] |