Качество - кристалл
Cтраница 3
Несомненно, что на качестве кристаллов благотворно скажется применение более чистых исходных реактивов и более тонкая регулировка тепловых режимов. [31]
Изучено влияние добавок ПАВ на качество кристаллов, получаемых при массовой кристаллизации. Обнаружено совершенно различное действие на качество кристаллов поверхностно-активных веществ с одним и тем же радикалом и отсутствие корреляции между свойствами ПАВ и кристаллизующегося вещества. [32]
 |
Распределение кристаллов по размеру в полуклассифицированном слое. [33] |
Семен [7] показал, что качество кристаллов, получаемых в аппаратах с циркулирующим раствором, можно улучшить, если применять вращение взвешенного слоя. Этот метод был запатентован Джеремис-сеном [8] в 1939 г. На практике, особенно при использовании крупногабаритных аппаратов, полностью классифицированный слой, вероятно, никогда не получают. Все кристаллизаторы с циркуляцией раствора работают на полуклассифицированном слое ( рис. 74); в нем поддерживается слабое вращательное движение. Кроме того, в цирку - лирующем растворе всегда присутствует некоторое количество мелких кристаллов. [34]
Наблюдается совершенно различное действие на качество кристаллов ПАВ с одним и тем же активным радикалом. [35]
Таким образом, требования к качеству кристаллов заставляют строго соблюдать температурный режим всего процесса карбонизации. Это особенно относится к температуре в зоне зарождения центров кристаллизации, где даже небольшое понижение температуры по сравнению с нормой приводит к заметному ухудшению качества кристаллов. [36]
Таким образом, требования к качеству кристаллов заставляют строго соблюдать температурный режим всего процесса карбонизации. Это особенно относится к температуре в зоне зарождения центров кристаллизации, где даже небольшое понижение температуры ниже нормы приводит к заметному ухудшению качества кристаллов. [37]
Лучшие с точки зрения производительности и качества кристаллов результаты получены при высоких степенях заполнения в диапазоне давлений 800 - 1500 - 105 Па. Как отмечалось, увеличение температуры синтеза усиливает интенсивность цитриновой окраски, но вследствие морфологической неустойчивости плоскости пинакоида в высокотемпературных гидротермах в пирамиде с нередко появляются игловидные каналы, следующие в направлении оптической оси кристалла. Эти несовершенства являются, пожалуй, единственным дефектом синтетического цитрина, для устранения которого требуется вести процесс перекристаллизации при строго контролируемых значениях термобарических параметров. Значительные ( порядка 0 4 - 0 6 мм / сут) величины скорости роста обеспечивают высокую экономичность производства кристаллов цитрина гидротермальным методом. [38]
После завязки кристаллов влияние температуры на качество кристаллов сказывается меньше, особенно при увеличении количества образовавшихся кристаллов. [39]
Лучшие с точки зрения производительности и качества кристаллов результаты получены при высоких степенях заполнения в диапазоне давлений 800 - 1500 - 105 Па. Как отмечалось, увеличение температуры синтеза усиливает интенсивность цитриновой окраски, но вследствие морфологической неустойчивости плоскости пинакоида в высокотемпературных гидротермах в пирамиде с нередко появляются игловидные каналы, следующие в направлении оптической оси кристалла. Эти несовершенства являются, пожалуй, единственным дефектом синтетического цитрина, для устранения которого требуется вести процесс перекристаллизации при строго контролируемых значениях термобарических параметров. Значительные ( порядка 0 4 - 0 6 мм / сут) величины скорости роста обеспечивают высокую экономичность производства кристаллов цитрина гидротермальным методом. [40]
 |
Зависимость седиментационного объема суспензий V и высоты осадка h от времени т. [41] |
На фильтрующие свойства фосфорнокислых суспензий помимо качества кристаллов сульфата кальция влияют: отношение жидкость - твердое ( Ж: Т) в пульпе, вязкость жидкой фазы пульпы, толщина слоя образующегося осадка и разрежение. [42]
Рассмотрим основное причины, обусловливающие улучшение качества кристаллов, уменьшение степени выдувания аммиака и повышение утилизации натрия при работе колонн на глубоко карбонизоваиных хидкостях. [43]
 |
Схема расположения испарительной камеры и радиационных экранов при измерении скорости испарения методом кварцевого резонатора. [44] |
В работе Янсона и Теплицкого [67] в качестве управляющего кристалла использован кварц ВТ-среза с v 8 МГц, N 2 55 МГц / мм и Gv s 10 Гц / г, что соответствует по порядку величины изменению частоты на 1 Гц при конденсации слоя со средней толщиной 1 А. Для измерения частоты колебаний управляющего кристалла применен дифференциальный метод измерения частот, основанный на сравнении частоты управляющего кристалла с частотой системы высокой стабильности. [45]
Страницы: 1 2 3 4