Качество - выращиваемый кристалл
Cтраница 1
Качество выращиваемых кристаллов зависит от многих факторов: характера температурного поля в зоне роста кристалла, режима цикла кристаллизации, атмосферы в рабочей камере и ряда Других. [1]
Качество выращиваемых кристаллов зависит от многих факторов: характера температурного поля в зоне роста кристалла, режима цикла кристаллизации, атмосферы в рабочей камере и ряда других. [2]
Использование двухконтурной системы оборотного водоохлаждения ростовых установок позволило не только повысить качество выращиваемых кристаллов, резко сократить расход воды, но также существенно увеличить надежность и продолжительность безаварийной работы установок. [3]
Кроме прямого влияния диссоциации АЬ03 на характер кристаллизации расплава гранатового состава, она отрицательно сказывается на качестве выращиваемого кристалла из-за взаимодействия продуктов диссоциации с материалом контейнера, экранов, нагревателя и загрязнения расплава продуктами этого взаимодействия. В случае низкого вакуума в рабочей камере установки указанные оксиды, как и продукты диссоциации АЬОз, не удаляются, полностью из камеры и частично захватываются расплавом. В расплаве граната, характеризующемся резко восстановительными свойствами, происходит восстановление оксидов металлов до металлического состояния и образование включений металлических частиц в растущем кристалле. Значительное различие в коэффициентах линейного расширения ИАГ, вольфрама и молибдена приводит на стадии охлаждения кристалла к образованию в нем вокруг указанных металлических включений напряжений, которые нередко разряжаются в виде трещин. [4]
Кроме прямого влияния диссоциации АЬО3 на характер кристаллизации расплава гранатового состава, она отрицательно сказывается на качестве выращиваемого кристалла из-за взаимодействия продуктов диссоциации с материалом контейнера, экранов, нагревателя и загрязнения расплава продуктами этого взаимодействия. В случае низкого вакуума в рабочей камере установки указанные оксиды, как и продукты диссоциации АЬОз, не удаляются, полностью из камеры и частично захватываются расплавом. В расплаве граната, характеризующемся резко восстановительными свойствами, происходит восстановление оксидов металлов до металлического состояния и образование включений металлических частиц в растущем кристалле. Значительное различие в коэффициентах линейного расширения ИАГ, вольфрама и молибдена приводит на стадии охлаждения кристалла к образованию в нем вокруг указанных металлических включений напряжений, которые нередко разряжаются в виде трещин. [5]
Земле вынужденные вибрационные воздействия на жидкую фазу при выращивании кристаллов, что, по мнению авторов таких работ, должно улучшить качество выращиваемых кристаллов. В наземных условиях такие воздействия применяют в экспериментах по выращиванию кристаллов методом Чохральского, а в космосе выполнены пробные эксперименты по выращиванию из раствора модельного кристалла NaNOs с вибрационным перемешиванием за счет колебаний внешнего твердого тела, помещенного в жидкость. Однако сказанное выше о роли любых конвективных течений в создании неоднородностей в кристаллах справедливо и в этом случае, поэтому в ближайшее время трудно ожидать больших успехов от использования вынужденных вибрационных воздействий. [6]
 |
Конструкция графитового контейнера для получения эпитаксиальных слоев РЬи - Зп / Ге.| Конструкция ампулы для выращивания кристаллов Pbi jSn. tTe из газовой фазы. [7] |
Выращивают кристаллы как непосредственно на кварцевое дно ампулы, так и на затравку или подложку из ВаРг, Pbj jtSnzTe и др. Этим методом выращивают объемные монокристаллические слитки массой до 100 г, а также ограненные кристаллы с размерами граней до 1 5 см. Для улучшения качества выращиваемых кристаллов проводят либо предварительную сублимацию исходной шихты, либо ее длительный отжиг. [8]
При этих условиях изохорический процесс неизбежно протекает при высоком давлении. Давление само по себе на качество выращиваемых кристаллов не влияет и является, таким образом, пассивным фактором. [9]
Влияние формы поверхности фронта кристаллизации ( ПФК) на качество выращиваемых кристаллов общеизвестно. Различают ПФК плоскую, вогнутую или выпуклую по отношению к расплаву. Лучшие кристаллы фторфлогопита получены при плоской ПФК, отражающей отсутствие радиальных градиентов в кристаллизаторе. [10]
Влияние формы поверхности фронта кристаллизации ( ПФК) на качество выращиваемых кристаллов общеизвестно. Различают ПФК плоскую, вогнутую или выпуклую по отношению к расплаву. Лучшие кристаллы фторфлогопита получены при плоской ПФК, отражающей отсутствие радиальных градиентов в кристаллизаторе. [11]
При этих условиях изохорический процесс неизбежно про текает при высоком давлении. Давление само по себе на качеств выращиваемых кристаллов не влияет и является, таким образом пассивным фактором. [12]
В процессе разработки технологии синтеза оптического монокристального кварца была решена проблема создания фонда затравочного материала для разнотипных уникальных по размерам и свойствам кварцевых кристаллов, сырьем для которого послужили бездефектные природные кристаллы горного хрусталя большого размера и с высоким выходом моноблоков. Переработка крупногабаритных природных и синтетических кварцевых кристаллов производилась под руководством Л. Н. Романова и Го-7 ликова. Первые эксперименты на сосудах промышленного типа, проведенные в течение 1962 - 1963 гг. с целью проверки лабораторных данных, дали положительные результаты, показавшие принципиальную возможность повышения производительности серийного промышленного оборудования и улучшения качества выращиваемых кристаллов. Во ВНИИСИМС для серийного производства были разработаны два варианта сосудов, различающиеся конструкцией затвора и размерами горловины. [13]
 |
Образование шейки на затравке. [14] |
Затравка способна передавать содержащиеся в ней примеси и структурные дефекты растущему на ней кристаллу. Поэтому она должна быть такой же химической чистоты или чище, чем монокристалл, который нужно получить, и по возможности без структурных дефектов. По этим причинам затравку предпочитают брать возможно тоньше или образовывать на ней путем оплавления узкую шейку перед началом выращивания кристалла ( рис. V. Затравка должна быть тщательно ориентирована в нужном кристаллографическом направлении, что в значительной мере определяет качество выращиваемого кристалла и облегчает его разрезыва-ние на пластинки для изготовления приборов. Ориентировку затравки устанавливают и контролируют рентгеновской съемкой по Лауэ. [15]
Страницы: 1 2