Качество - выращиваемый кристалл
Cтраница 2
 |
Образование шейки на затравке. [16] |
Затравка способна передавать содержащиеся в ней примеси и структурные дефекты растущему на ней кристаллу. Поэтому она должна быть такой же химической чистоты или чище, чем монокристалл, который нужно получить, и по возможности без структурных дефектов. По этим причинам затравку предпочитают брать возможно тоньше или образовывать на ней путем оплавления узкую шейку перед началом выращивания кристалла ( рис. V. Затравка должна быть тщательно ориентирована в нужном кристаллографическом направлении, что в значительной мере определяет качество выращиваемого кристалла и облегчает его разрезыва-вие на пластинки для изготовления приборов. Ориентировку затравки устанавливают и контролируют рентгеновской съемкой по Лауэ. [17]
В настоящее время обычно применяют способ Чохральского. Затем в расплав опускают сверхчистый тонкий затравочный монокристалл германия или кремния и выдерживают его до оплавления. Далее включают механизм вращения и подъема верхнего штока с затравкой и производят постепенное вытягивание ( выращивание) монокристалла. Тянущийся за затравкой расплав затвердевает, приобретая структуру затравки. Поэтому затравка не должна иметь структурных и других дефектов и должна быть тщательно ориентирована в нужном кристаллографическом направлении, так как это в значительной мере определяет качество выращиваемого кристалла. [18]
Страницы: 1 2