Диффузионная длина

Cтраница 1

Диффузионная длина определяется коэффициентом диффузии и временем жизни неосновных носителей заряда; она зависит от уровня легирования полупроводника и для различных полупроводниковых материалов находится в пределах от 10 - 5 см до нескольких миллиметров. [1]

Диффузионная длина - расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в е раз. [2]

Диффузионная длина для тепловых нейтронов может быть определена двумя эквивалентными способами. Во-первых, предположим, что тепловые нейтроны испускаются точечным источником и диффундируют в замедлителе бесконечных размеров. Если г - расстояние от источника, на котором нейтрон поглощается. [3]

Диффузионная длина не должна быть меньше чем 0 3 мм. Поэтому проводимость области между рассматриваемыми близко друг от друга эмиттерным и базовым контактами будет модулирована инжектированным током. [4]

Диффузионная длина определяет расстояние от границы стержня, на котором концентрация неравновесных носителей уменьшается в в раз по сравнению с ее граничным значением. Диффузионная длина неосновных носителей является важным электрофизическим параметром полупроводника. Она увеличивается с ростом времени жизни и коэффициента диффузии. [5]

Диффузионная длина L еще более чувствительна к искажениям кристаллической решетки, чем подвижность. [6]

Диффузионная длина носителей тока представляет собой среднюю величину, численное значение которой определяется диффузионными длинами всех электронов проводимости. Значение диффузионной длины играет важную роль в решении ряда практических задач полупроводниковой электроники. [7]

Диффузионную длину неосновных носителей во всех областях структуры необходимо иметь по возможности большой: в эмиттере - для увеличения коэффициента инжекции, в базе - для повышения коэффициента усиления по току2 и в коллекторе ( у транзисторов с высо-коомным телом коллектора) - для модуляции проводимости коллектора с целью снижения сопротивления насыщения. Исключение составляют транзисторы, предназначенные для работы в быстродействующих переключающих схемах, где величины L6 и LK необходимо снижать для уменьшения накопления заряда в областях базы и коллектора. [8]

Диффузионной длиной L называют расстояние, на котором концентрация неравновесных носителей заряда убывает в е раз. [9]

Различные формы р-слоя после электрической формовки. [10]

Если диффузионная длина полупроводника сравнима с толщиной пластинки, то действительное сопротивление будет несколько меньше вследствие уменьшения р за счет инъекции носителей тока. [11]

Измерение диффузионной длины методом подвижного светового зонда дает возможность определить диффузионную длину и скорость поверхностной рекомбинации по результатам измерений фототока в двух точках образца. [12]

Смысл диффузионной длины ясен из предыдущего: это расстояние, на протяжении которого концентрация избыточных носителей уменьшается в е раз. Или иначе - это среднее расстояние, на которое диффундирует носитель за время своей жизни. [13]

Измерения диффузионной длины и времени жизни носителей заряда, основанные на люминесценции, обязаны своим развитием использованию полупроводниковых соединений в светодиодах и лазерах. [14]

Понятие диффузионной длины играет важную роль в теории фотоэлектрических и контактных явлений. [15]

Страницы: 1 2 3 4