Диффузионная длина
Cтраница 3
В большинстве полупроводников диффузионная длина не превышает тысячных долей сантиметра. Это обстоятельство в ряде случаев накладывает определенные ограничения. Поэтому вполне понятна тенденция исследователей сделать все возможное для получения больших значений диффузионной длины. Следует заметить, что в результате проведенных работ в кремнии и германии удалось получить диффузионные длины неосновных носителей в десятки и даже сотни раз больше, чем в других полупроводниках, например, в особо чистых монокристаллах германия они достигают нескольких миллиметров. [31]
Какой зависимостью связаны диффузионная длина и время жизни. [32]
Как видим, диффузионная длина L при одновременном использовании двух эффектов не зависит от / 2 ( s) и поэтому точность измерения совмещенным методом может быть достаточно высокой. [33]
В результате измерений диффузионной длины it слоях арсенида галлия толщиной 1 - 10 мкм, выращенных с помощью жидкостной эпитаксии, были получены концентрационные зависимости диффузионной длины электронов и дырок. [34]
Другой способ определения диффузионной длины по фототоку p - n - перехода основан на анализе зависимости тока короткого замыкания / к от толщины слоя w при перемещении луча лазера вдоль косого шлифа. [36]
Описанный метод определения диффузионной длины нашел широкое распространение для таких материалов, как германий и кремний, в которых диффузионная длина достаточно велика, а также сравнительно легко образуются запорные слои на прижимном контакте с металлическим зондом. Однако, если диаметр зонда становится соизмерим с диффузионной длиной носителей заряда, то измерения становятся невозможными. Поэтому описанный метод применим только для материалов с диффузионной длиной порядка 0 1 мм. [37]
Другой метод измерения диффузионной длины основан на анализе спектральной зависимости краевой люминесценции при постоянной длине волны возбуждающего излучения. [38]
Определенное авторами значение диффузионной длины электронов в пленках р - InP равно 0 2 мкм. [39]
Если толщина базы меньше диффузионной длины дырок в ней ( w Lp), то инжектированные в базу дырки будут доходить до коллекторного перехода, почти не рекомбинируя с электронами. [40]
Более сложно найти диффузионную длину в нижней зоне; приходится разлагать поле в призме в спектр плоских волн, каждая из которых преломляется на правой грани призмы. [41]
Не следует путать диффузионную длину с длиной свободного пробега носителей заряда, которая определяется как среднее расстояние, проходимое носителем между двумя последовательными актами рассеяния. [42]
Величина Lp называется диффузионной длиной. Так как плотность р является конечной величиной, то при - постоянная В должна быть равна нулю. [43]
Величина LD называется диффузионной длиной тепловых нейтронов. [44]
Ьр и D - диффузионная длина и коэффициент диффузии дырок во фронтальном n - слое; w - толщипа фронтального слоя; а - показатель поглощения излучения в полупроводнике. [45]
Страницы: 1 2 3 4