Качество - полупроводниковый прибор
Cтраница 1
Качество полупроводниковых приборов в очень большой степени зависит от свойств полупроводникового материала, использованного при их изготовлении. [1]
 |
Расчет ВАХ фотодиода. а, б - исходные температурная и световая характеристики. в - ВАХ.| ВАХ фотомагнитодиода.| Оптопара с фотом агнитодиодом.| Структура p - i - n фотодиода. [2] |
В качестве тензоэлектрических полупроводниковых приборов можно применять туннельные диоды, крутизна ВАХ которых на отдельных участках зависит от деформации. [3]
В качестве тензоэлектрических полупроводниковых приборов можно применять туннельные диоды, крутизна вольт-амперной характеристики которых на отдельных участках зависит от деформации. [4]
Известно отрицательное влияние на качество полупроводниковых приборов любых, даже самых незначительных загрязнений. Поэтому технологический процесс изготовления предусматривает защиту кристалла от цеховой атмосферы вплоть до его герметизации. Попадание влаги, загрязнений на покрытие кристалла ( перехода) практически сводит на нет все последующие усилия по его герметизации. [5]
Конкретное построение ВСТП зависит от используемых в качестве ЭК полупроводниковых приборов. Возможно использование биполярных диодов, четырехслойных полупроводниковых приборов и полевых транзисторов в виде МОП-структур. В настоящее время для построения тракта передачи с пространственным разделением каналов в АТСЭ преимущественно применяются четы-рехслойные приборы и МОП-структуры. При построении КП на четырехслойных приборах возможно использование четырехслойных диодов, триодов или тетродов. Эти приборы по переходному сопротивлению близки к металлическим контактам. В случае использования четырехслойных приборов, как правило, коммутируется один провод. [6]
Нитрид кремния - один из изоляционных материалов, позволяющий повысить качество полупроводниковых приборов и интегральных схем. Однако этот материал имеет существенный недостаток: он с трудом поддается травлению. После такой активации процесс травления нитрида кремния можно выполнять без нанесения фоторезиста. Этот метод является развитием технологии для непосредственного травления двуокиси кремния SiO2, обычно применяемой в качестве изоляционного материала при изготовлении интегральных схем. [7]
Из всех примесей, встречающихся в водороде, аргоне, азоте, вредное влияние на качество полупроводниковых приборов при их изготовлении оказывают в основном кислород и пары воды. Чем меньше содержание влаги в каком-либо газе, тем при более низкой температуре она начинает конденсироваться. Температуру, при которой происходит конденсация влаги, содержащейся в газе, называют температурой точки росы, или просто точкой росы. Естественно, что чем ниже точка росы, тем меньше влаги содержится в газе. [8]
Для холодной сварки полупроводниковых приборов можно использовать гидравлические прессы или специальные пневмогидравлические установки, которые обычно снабжены камерой с контролируемой атмосферой, что значительно повышает качество полупроводниковых приборов. [9]
Качество полупроводниковых приборов в значительной степени зависит от качества исходных полупроводниковых материалов. Особую проблему при изготовлении полупроводников представляет их очистка. Так, в § 1 - 4 была отмечена возможность превращения полупроводника в полуметалл, если концентрация примеси достаточно велика. Обычно такое превращение происходит при относительном содержании примеси 0 01 - 0 001 %, что характерно, например, для эмиттерных слоев диодов и транзисторов. Однако и эта исключительно малая цифра характерна лишь для полезной примеси. [10]
Качество полупроводниковых приборов в значительной степени зависит от качества исходных полупроводниковых материалов. Особую проблему при изготовлении полупроводников представляет их очистка. Так, в § 1 - 4 была отмечена возможность превращения полупроводника в полуметалл, если концентрация примеси достаточно велика. Обычно такое превращение происходит при относительном содержании примеси ( 0 01 - 0 001 %), что характерно, например, для эмиттерных слоев диодов и транзисторов. Однако и эта исключительно малая цифра характерна лишь для полезной примеси. [11]
Для оценки надежности готовых радиоэлектронных схем и выявления причин отказов начинают применяться новейшие методы интроскопии. Для проверки качества полупроводниковых приборов и обнаружения мест повреждения в схемах используют сканирующие электронные микроскопы. [12]
Несомненно, методы контроля качества полупроводниковых приборов в ближайшие несколько лет будут существенно изменены и усовершенствованы. Сказанное выше ни в коем случае не означает, что можно отнестись с пренебрежением к быстрому прогрессу, достигнутому в технологии полупроводниковых усилителей, а скорее указывает но то, что дальнейший прогресс должен быть достигнут прежде, чем за всеми меняющимися величинами будет установлен надлежащий контроль. [13]
В этом плане статистические методы анализа технологических процессов помогают установить причины, влияющие на качество изделий. При этом могут использоваться как классические методы, основанные на теории корреляции, так и методы, основанные на теории информации, и распознавания образов, позволяющие определить количественные показатели связи между случайными величинами и влияние отдельных технологических факторов на качество полупроводниковых приборов. [14]
Следовательно, сопротивление диода с тонкой базой под действием магнитного поля изменяется только в результате изменения подвижности неосновных носителей заряда в базе диода. Из сравнения выражений (14.15) и (14.7) видно, что изменение тока, проходящего через диод с тонкой базой, или изменение его сопротивления в магнитном поле значительно меньше, чем в магниторезисторе. Таким образом, диоды с тонкой базой нецелесообразно использовать в качестве магниточувствительных полупроводниковых приборов - магнитодиодов. [15]
Страницы: 1 2