Качество - полупроводниковый прибор
Cтраница 2
 |
Различные конструкции магниторезисторов. [16] |
Из сравнения выражений (15.15) и (15.7) видно, что изменение тока, проходящего через диод с тонкой базой, или изменение его сопротивления в магнитном поле значительно меньше, чем в магниторе-зисторе. Таким образом, диоды с тонкой базой нецелесообразно использовать в качестве магниточувствительных полупроводниковых приборов - магнитодиодов. [17]
При НК уровень генерационно-ре-комбинационных флуктуации прежде всего используется для контроля полупроводниковых приборов. Измерение уровня флуктуации тока, проходящего через полупроводниковый прибор при постоянных потенциалах на его электродах, лишь приблизительно характеризует рассматриваемый вид флуктуации, так как флуктуация тока создается всеми видами флуктуации. Поэтому не удается установить строго детерминированную связь уровня генера-ционно-рекомбинационных флуктуации с другими показателями качества полупроводниковых приборов. В то же время уровень флуктуации позволяет проводить разбраковку полупроводниковых приборов, а в ряде случаев и прогнозировать их техническое состояние. [18]
Страницы: 1 2