Качество - варикап
Cтраница 1
Качество варикапа оценивают добротностью QB, равной отношению реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте-сигнала к сопротивлению потерь при заданном значении емкости. [1]
 |
Варикап. a - структура. б - зависимость емкости от приложенного напряжения. - схема включения в колебательный контур. [2] |
В качестве варикапа может быть использован р - га-переход любого диода или триода. Однако лучшие результаты получаются при специальном формировании переходов. [3]
В качестве варикапов довольно успешно можно использовать кремниевые стабилитроны при напряжении ниже 1 / ст, когда обратный ток еще очень мал и, следовательно, обратное сопротивление очень велико. [4]
Как правило, в качестве варикапов используются кремниевые диоды, обратное сопротивление, а следовательно, и добротность которых значительно выше, чем у германиевых. [5]
При работе диода яа переменном напряжении, когда он используется в качестве варикапа или детектора, через диод протекают, кроме постоянной составляющей, токи первой, второй и более высоких гармоник, учет влияния которых затруднен. В первом приближении можно считать, что шумовой ток пропорционален постоянной составляющей тока, так как она значительно превосходит по величине токи, вызываемые в р-я-переходе высшими гармониками. Связь амплитуды переменного напряжения на р-я-переходе с величиной постоянного тока и параметрами перехода Кя и Ся нетрудно получить из известных выражений. [6]
В частности, такая структура может быть реализована на двух интегральных схемах типа ИП-1, причем в качестве варикапов здесь используются соответственно барьерные емкости база-эмиттеряых и база-коллекторных переходов двух кремниевых пленарных транзисторов. [7]
Как было показано в § 2.8 и 3.6, диод обладает барьерной и диффузионной емкостями. В качестве варикапов используют только диоды при обратном постоянном смещении, когда проявляется только барьерная емкость. Диффузионная емкость проявляется при прямом смещении диода когда проводимость его велика и велики потери мощности из-за относительно больших активных токов через диод. [8]
Входное четырехварикапное устройство ВУ аналогично устройству, представленному на рис. 3 - 22 в. В качестве варикапов каждого плеча моста используются барьерные емкости база-эмиттерного и база-коллекторного переходов одного транзистора, что позволяет значительно улучшить метрологические характеристики устройства в целом. Варикапное устройство согласовывается с транзисторным усилителем TTi с помощью резонансного контура, параметры которого выбраны таким образом, что частота автоколебаний АВУС около ЗМгц. [9]
Как было показано в § 2.8 и 3.6, диод обладает барьерной и диффузионной емкостями. В качестве варикапов используют только диоды при обратном постоянном смещении, когда проявляется только барьерная емкость. Диффузионная емкость проявляется при прямом смещении диода, когда проводимость его велика и велики потери мощности из-за относительно больших активных токов через диод. [10]
 |
Распределение концентрации нескомпенсированных примесей в структуре варикапа с резкой зависимостью емкости от напряжения.| Структура варикапа с малым сопротивлением базы. [11] |
Как было рассмотрено в § 2.8 и 3.6, диод обладает барьерной и диффузионной емкостями. В качестве варикапов используют только диоды при обратном постоянном смещении, когда проявляется только барьерная емкость. Диффузионная емкость проявляется при прямом смещении диода, когда проводимость его велика и велики потери мощности из-за относительно больших активных токов через диод. [12]
В качестве варикапов могут применяться не только специально предназначенные для этой цели диоды, но и стабилитроны и силовые диоды. Однако при этом надо иметь в виду, что обратное сопротивление запертого перехода, если оно не очень велико, будет значительно снижать добротность управляемой емкости, шунтируя ее. [13]
В этих приборах используется емкость р-п-перехода, величиной которой можно управлять с помощью подаваемого напряжения. В качестве низкочастотных варикапов применяются плоскостные диоды, изготовленные из кремния или арсенида галлия. Перспективным материалом для низкочастотных варикапов является карбид кремния. В качестве высокочастотных и сверхвысокочастотных варикапов ( параметрических диодов) обычно применяются плоскостные диоды, но для их изготовления выбирается материал с большой подвижностью носителей - германий или ар-сенид галлия. [14]
Один из вариантов варикапно-транзисторного автогенераторного усилителя такого типа представлен на рис. 5 - 20 а. Здесь в качестве варикапов используются емкости база-эмиттерного перехода кремниевого планар-ного транзистора типа КТ315Г, величина которых лежит в пределах 6 - 10 пкф. [15]
Страницы: 1 2