Cтраница 2
В этих приборах используется емкость р-п-перехода, величиной которой можно управлять с помощью подаваемого напряжения. В качестве низкочастотных варикапов применяются плоскостные диоды, изготовленные из кремния или арсенида галлия. Перспективным материалом для низкочастотных варикапов является карбид кремния. В качестве высокочастотных и сверхвысокочастотных варикапов ( параметрических диодов) обычно применяются плоскостные диоды, но для их изготовления выбирается материал с большой подвижностью носителей - германий или ар-сенид галлия. [16]
Следует отметить, что добротность стабилитрона-конденсатора весьма велика ( 50 - 100) вплоть до частоты - 1 Мгц. Это объясняется тем, что сопротивления сильно легированных р - и - областей перехода очень малы. Кроме того, для него характерна малая величина обратного тока ( обратное сопротивление достигает сотен мегом) даже при напряжениях, близких к пробивному. Вследствие этого стабилитроны типа Д808 - Д813 иногда используются в качестве варикапов. [17]
Таким образом, при нулевых смещающих напряжениях ТКЕ практически определяется изменением контактной разности потенциалов, а при обратных напряжениях уменьшается за счет ее стабилизации. Ввиду того, что обратный ток р-п-пере-хода экспоненциально растет с увеличением температуры, сопротивление RP - n, определяемое им, падает по такому же закону с ростом температуры. Сопротивление утечек у полностью зависит от способов обработки поверхности полупроводникового диода и от его конструкции. Так как при построении усилителей постоянного тока входное сопротивление и шумовые характеристики полностью определяются величиной сопротивления Rm, его величина является одним из основных критериев выбора типа диода для использования в качестве варикапа. Величина сопротивления Rm зависит от приложенного к р-я-переходу постоянного напряжения, причем достигает максимума при небольшом отрицательном напряжении, превосходя на порядок величину сопротивления в нулевой точке. [18]