Квазиуровень

Cтраница 1

Квазиуровень Ферми на поверхности в зависимости от напряжения смещения ( для кривы. [1]

Следовательно, квазиуровень Ферми вблизи границы раздела несколько понижается ( ср. [2]

Положение квазиуровней Ферми при нарушении равновесия за счет инжекции.| Зависимости удельной проводимости полупроводника от напряженности электрического поля при различных температурах. [3]

Следовательно, квазиуровень Ферми для неосновных носителей отклоняется от равновесного положения уровня Ферми ( рис. 1.35), причем направление отклонения зависит от того, происходит инжекция или же экстракция. [4]

Так как квазиуровень Ферми при этом считается постоянным относительно состояний на внешней поверхности, положение уровня Ферми на внутренней поверхности раздела должно изменяться. [5]

Ферми; EfD - дырочный квазиуровень Фермн; ЕС. Efn - энергетический интервал ( абсолютное значени. [6]

По мере дальнейшего опустошения квазиуровень Ферми спускается ниже. [7]

Прежде чем использовать понятие квазиуровня Ферми для описания процесса рекомбинации в неравновесных системах, рассмотрим некоторые наглядные представления о механизме рекомбинации. [8]

F) возможны только на квазиуровень Qn ( P) в условиях, близких к п - фотонному резонансу в достаточно слабых полях cLF, В сильных полях dFz % недиабатические переходы при выполнении ( 10) невозможны. [9]

ДЕ-ЙХ должна также характеризовать ширину энергетического квазиуровня. [10]

В этих условиях зоне и уровню соответствует единый квазиуровень Ферми. [11]

Вероятность заполнения энергетических уровней и состоянии термодинамического равновесия ( кривая / и в неравновесном состоянии ( кривая 2 и расположение квазиуровней Ферми или демаркационных уровней для электронов и дырок. [12]

Уровни, лежащие выше электронного демаркационного уровня или выше квазиуровня Ферми для электронов, являются уровнями захвата электронов. Аналогично, уровни, лежащие ниже дырочного демаркационного уровня или квазиуровня Ферми для дырок, являются уровнями захвата дырок. [13]

Уровни, лежащие выше электронного демаркационного уровня или выше квазиуровня Ферми для электронов, являются уровнями захвата электронов. Вероятность их заполнения электронами меньше 50 %, что соответствует большой вероятности ( более 50 %) переброса электронов с этих уровней в зону проводимости в результате тепловой генерации. Аналогично уровни, лежащие ниже дырочного демаркационного уровня или квазиуровня Ферми для дырок, являются уровнями захвата дырок. [14]

При малых уровнях инъекции прохождение тока не вызывает смещения квазиуровня Ферми для основных носителей, а следовательно, поле Е не изменяется. [15]

Страницы: 1 2 3 4