Квазиуровень
Cтраница 2
Уровни, лежйщие выше электронного демаркационного уровня или выше квазиуровня Ферми для электронов, являются уровнями захвата электронов. Вероятность их заполнения электронами меньше 50 %, что соответствует большой вероятности ( более 50 %) переброса электронов с этих уровней в зону проводимости в результате тепловой генерации. Аналогично, уровни, лежащие ниже дырочного демаркационного уровня или квазиуровня Ферми для дырок, являются уровнями захвата дырок. [17]
 |
Положительная ( в2, з и отрицательная ( coj люминесценции на фоне теплового испускания. [18] |
Ферми, характеризующий распределение электронов в зоне проводимости, лежит ниже квазиуровня Ферми для дырок. [19]
Очевидно, что прохождение тока будет изменять концентрацию носителей и положение квазиуровня Ферми. [20]
Чтобы преобразовать экспериментальные кривые в кривые зависимости заряда во внутренних поверхностных состояниях от положения квазиуровня Ферми, нужно отделить заряд во внешних поверхностных состояниях. [21]
Следовательно, при более высокой температуре требуется более высокая интенсивность света, для того чтобы квазиуровень Ферми опустился ниже уровней класса II и чтобы проявилась суперлинейность. [22]
Как показано на рис. 2.7.2, в случае наличия нескольких дискретных уровней ловушек по мере прохождения квазиуровня Ферми через каждый дискретный энергетический уровень будет наблюдаться соответствующее резкое нарастание силы тока. [23]
Рассмотрим два предельных случая, когда ED EF и ED EF, где Ер - положение квазиуровня Ферми при отсутствии освещения. Эти случаи проиллюстрированы на рис. 2.7.19. В первом случае только для самых глубоких - довушек оптическое опустошение происходит быстрее термического; поэтому можно ожидать, что освещение не окажет заметного влияния на величину тока. Следовательно, величина ТОПЗ будет заметно увеличиваться при освещении. [24]
 |
Зависимость термости - [ IMAGE ] Кривая термостиму-мулированного тока от темпера - лированного тока в Sb2Se3. [25] |
В самом начале процесса нагревания уровни заполнены электронами ( для определенности рассматриваем прилипание электронов) и, следовательно, квазиуровень Ферми расположен между ними и с-зоной. При повышении температуры по мере опустошения уровней квазиуровень Ферми смещается вниз, приближаясь к уровню прилипания. [26]
Из равенства (3.43) можно сделать вывод о том, что Время жизни свободных электронов обратно пропорционально концентрации уровней Nt вблизи электронного квазиуровня Ферми. [27]
Последнее выражение показывает, что обедненная область может существовать при значениях потенциала, тем больших, чем больше концентрация примесей и чем больше отклонение квазиуровня Ферми для неосновных носителей от равновесного значения. [28]
Если в первом приближении пренебречь логарифмическими членами в (26.5) и (26.6), то видно, что демаркационный уровень для дырок отстоит от - у-зоны на расстоянии, равном расстоянию электронного квазиуровня Ферми от с-зоны. Аналогично этому демаркационный уровень для электронов располагается вблизи с-зоны на расстоянии, равном расстоянию дырочного квазиуровня Ферми от у-зоны. [29]
При Я - - 0 уравнение (6.30) переходит в обычное кинетическое уравнение для электронов и дырок, взаимодействующих с фоно-нами, причем последний член соответствует рассеянию электронов с переходом через квазиуровень Ферми. [30]
Страницы: 1 2 3 4