Полупроводниковая керамика
Cтраница 1
Полупроводниковая керамика изготовляется аналогично обычной керамике. Однако здесь следует учитывать основные требования полупроводникового производства: высокую степень чистоты и тщательного контроля за технологическими процессами. [1]
 |
Конструкция терморезисторов. [2] |
Полупроводниковую керамику изготовляют аналогично обычной керамике. Однако учитывают основные требования полупроводникового производства: высокую степень чистоты и тщательного контроля за технологическими процессами. [3]
 |
Диаграмма состояния системы Zr02 - Nb206. [4] |
Интересна для получения полупроводниковой керамики. [5]
 |
Температурная зависимость удельного объемного сопротивления керамики на основе ВаТЮз. [6] |
ВаТЮз ( диэлектрик); 2 - полупроводниковая керамика ВаТЮз, полученная путем регулирования валентности; 3 - полупроводниковая керамика ВаТЮз, полученная принудительным вос-станонлением. [7]
ВАХ варисторов из оксидных полупроводников связана не со свойствами основной составляющей полупроводниковой керамики - кристаллитами, а со свойствами межкристал-литных прослоек и потенциальных барьеров на поверхности кристаллитов. Поэтому кроме традиционных требований обеспечения достаточной плотности с минимальной пористостью обожженного материала при изготовлении варисторов надо обеспечить высокоомность межкристаллитного слоя, сопротивление которого должно превышать сопротивление объема кристаллитов. [8]
В АХ варисторов из оксидных полупроводников связана не со свойствами основной составляющей полупроводниковой керамики - кристаллитами, а со свойствами межкристал-литных прослоек и потенциальных барьеров на поверхности кристаллитов. Поэтому кроме традиционных требований обеспечения достаточной плотности с минимальной пористостью обожженного материала при изготовлении варисторов надо обеспечить высокоомность межкристаллитного слоя, сопротивление которого должно превышать сопротивление объема кристаллитов. [9]
Приведенное объяснение хорошо иллюстрируется температурной зависимостью R R ( Т) для полупроводниковой керамики на основе титаната бария ВаТЮэ в области фазового перехода сегнетоэлектрик - параэлектрик. При этом переходе замечено аномальное увеличение удельного сопротивления терморезистора. [10]
 |
Температурная зависимость удельного объемного сопротивления керамики на основе ВаТЮз. [11] |
ВаТЮз ( диэлектрик); 2 - полупроводниковая керамика ВаТЮз, полученная путем регулирования валентности; 3 - полупроводниковая керамика ВаТЮз, полученная принудительным вос-станонлением. [12]
 |
Температурная зависимость удельного объемного сопротивления керамики на основе ВаТЮз. [13] |
Полупроводниковые конденсаторы на ВаТЮ3 представляют собой, как это видно из рис. 5 - 2 - 13, пластинку из полупроводниковой керамики, на которую с двух сторон нанесены слои серебра, формирующие с керамикой выпрямляющие контакты с большой барьерной емкостью, обусловленной высокой er ( sr 1000) керамики. При этом барьерные емкости образуют последовательное соединение, и так как направления выпрямления этих контактов противоположны, получается очень эффективная изоляция. Рассматриваемые конденсаторы имеют высокую & Т диэлектрической среды и характеризуются идентичностью характеристик. [14]
 |
Схема цепей напряжения ( а и векторные диаграммы ( б датчика средней реактивной мощности. [15] |
Страницы: 1 2