Cтраница 2
В качестве квадраторов величин используются: нелинейные индуктивные сопротивления - насыщающиеся дроссели; нелинейные активные сопротивления из карборунда, ти-рита, полупроводниковой керамики; схемы на полупроводниковых диодах с квадратичной вольт-амперной характеристикой. Соответственно различаются магнитные, карборундовые датчики мощности и датчики с диодными квадраторами. [16]
В конденсаторах используется эффект барьерной емкости на поверхности полупроводника. Поэтому такие конденсаторы изготавливаются с барьерным слоем; в них используется емкость обедненного носителями заряда слоя, образующегося в месте соприкосновения полупроводниковой керамики и вожженного серебряного электрода. Проводимость барьерного слоя довольно высока; соответственно при высокой барьерной емкости легированного или восстановленного титаната бария, достигающей 2 мкФ / см2, рабочие напряжения подобных конденсаторов не превышают нескольких вольт. [17]
Далее с наружной поверхности диска производится окисление, создающее тонкий слой диэлектрика. Нанося на окисленную поверхность металлические электроды с обеих сторон диска, получаем конденсатор, состоящий из двух последовательно включенных емкостей С, разделенных активным сопротивлением гпп полупроводящей керамики. У каждой из этих емкостей наружной обкладкой служит металлический слой, а внутренней - полупроводниковая керамика. Наличие последовательно включенного сопротивления гпп вызывает увеличение угла потерь конденсатора [ формула ( 102) ] и заставляет относить конденсатор с барьерным слоем к числу низкочастотных конденсаторов. При малых напряжениях, порядка 3 - 5 в, на небольших дисках с диаметром несколько миллиметров можно получать Сном до 0 5 - 2 мкф при толщине дисков 0 5 - 0 7 мм. В данном случае увеличение суд ограничивается относительно большой толщиной полупроводящей части диска, играющей роль обкладок, увеличивающих объем конденсатора. [18]