Длительность - импульс - напряжение
Cтраница 3
При постоянном входном напряжении [ /, в частности при питании АЙН непосредственно от КС постоянного тока или от четырехквадрантного преобразователя, формирование кривой напряжения выхода и его значения достигается путем многократного включения и выключения работающих в течение соответствующего полупериода вентилей АЙН. Изменяя число и длительность импульсов напряжения в течение полупериода напряжения выхода АЙН, можно достичь максимального приближения результирующего напряжения к синусоиде и требуемого изменения его значения. [32]
В блоке частотомера ( БЧМ) станции АПЭЛ-66 использован принцип, основанный на измерении постоянной составляющей импульсного то ка, пропорционального его частоте. С целью стабилизации длительности импульсов напряжения прямоугольной формы и увеличения их среднего значения в блоке частотомера ( БЧМ) использован RC-мостовой элемент. [33]
Что касается второго типа перестройки пятна, а именно перестройки самих ячеек, то его главными сферами действия должны быть процессы перераспределения тока между отдельными ячейками и перемещение ячеек и образуемых ими автономных пятен по катоду. Требующееся для него время tr уже было оценено по длительности координирующего импульса напряжения в 10 - 7 сек, что и может быть принято за продолжительность одиночного цикла перестройки ячейки. Как видно, для второго типа перестройки требуется время, в 1 000 раз меньшее, чем для первого. Уже одно это обстоятельство является достаточным основанием для того, чтобы считать второй тип перестройки целиком ответственным за перемещение автономных пятен по катоду. По-видимому, tr представляет собой время, необходимое для нагревания микроскопической области поверхности металла до бурного испарения. В таком случае tr должно изменяться обратно пропорционально величине энергии ионов, приобретаемой ими в области катодного падения. Энергия двух-и трехзарядных ионов должна вдвое и втрое превосходить энергию однозарядных ионов. [34]
Прочность изоляции определяется по так называемым вольт-секундным характеристикам, которые показывают, какое напряжение должно быть приложено к изоляции для разряда по поверхности или пробоя при различной длительности приложения напряжения. Обычно напряжение перекрытия и пробоя несколько уменьшается с увеличением длительности импульса напряжения. [35]
Ra, должен равняться заряду, приходящему на этот конденсатор через диод D и сопротивление Ra. Средний ток заряда зависит от характеристики диода и от величины и длительности импульсов напряжения, вызывающих этот ток. [36]
 |
Принципиальная схема блока ТЧ. [37] |
Включение отдельных нагрузочных сопротивлений в цепь каждого счетчика уменьшает их взаимное влияние. Действительно, конденсатор 4 и сопротивление 5 являются укорачивающей цепью по отношению к длительности импульса напряжения на счетчике, так как ее постоянная времени значительно меньше постоянной времени цепи счетчика. [38]
Локализация пробоя ведет к тому, что отдельные точки перехода существенно разогреваются даже при воздействии коротких импульсов перенапряжения. Вследствие этого не допускается превышение напряжения на приборе по сравнению с предельным по ТУ независимо от длительности импульса напряжения. [39]
В аппаратуре транзистор может быть использован в широком диапазоне напряжений и токов. Ограничением служат значения предельно допустимых режимов, превышение которых в условиях эксплуатации не допускается независимо от длительности импульсов напряжения или тока. [40]
Локализация пробоя ведет к тому, что отдельные точки перехода существенно разогреваются даже при воздействии коротких импульсов перенапряжения. Вследствие этого не допускается превышение напряжения на приборе по сравнению с предельным по ТУ независимо от длительности импульса напряжения. [41]
 |
Схема ЗЭ ППЗУ с электрической записью и стиранием информации ( а. структура транзистора МНОП-типа ( б и характеристика ЗЭ на транзисторе МНОП-типа ( в. [42] |
Накопление заряда можно объяснить различной плотностью тока в нитриде и окиси кремния в момент приложения к затвору 3 напряжения, которое первоначально разделится между слоями в соответствии с их диэлектрическими постоянными. На границе между диэлектриками возникает заряд, который зависит от толщины диэлектрических слоев, а также амплитуды и длительности импульса напряжения. Сохранение заряда определяется ловушками на границе диэлектрических слоев. На рис. 6.21, в представлены характеристики ( см. [66]) типичного ЗЭ на транзисторе МНОП-типа, снятые при постоянном напряжении смещения Uc - ЮВ. [43]
Более того, эта теория не может объяснить повышение электрической прочности полиэтилена за счет образования сшитой структуры при облучении, а также возрастание Пр с уменьшением длительности импульса напряжения в области высоких температур. Эти факты, однако, не противоречат гипотезе электромеханического пробоя. [44]
Более того, эта теория не может объяснить повышение электрической прочности полиэтилена за счет образования сшитой структуры при облучении, а также возрастание Гпр с уменьшением длительности импульса напряжения в области высоких температур. Эти факты, однако, не противоречат гипотезе электромеханического пробоя. [45]
Страницы: 1 2 3 4