Длительность - импульс - напряжение
Cтраница 4
Характерная особенность нереверсивного широтно-импульсного преобразователя постоянного тока состоит в том, что он преобразует плавно изменяющийся входной сигнал в последовательность импульсов напряжения постоянной амплитуды и полярности, но разной длительности. Здесь Rm и LH - активное сопротивление и индуктивность нагрузки; П - тиристорный преобразователь постоянного тока; ШИМ - широтно-импульсный модулятор; Дг - диод, шунтирующий нагрузку; V - напряжение источника электрической энергии; % - напряжение управления; / н М 2 - ток нагрузки, / 1 - ток, протекающий через нагрузку в интервале времени O t tn - iz - ток, протекающий через нагрузку в интервале времени tu t T; tu - длительность импульса напряжения; Т - период коммутации; ts / T - скважность импульсов напряжения. [46]
В пленках ХСП с двумя металлич. Пороговые ток / п и напряжение Fn не зависят от полярности напряжения, а также от темп-ры Т в диапазоне 2 - 250 К; при повышении Т они претерпевают скачок: / п возрастает, напряжение падает и затем слабо изменяются с Т, вплоть до размягчения материала. Аналогично зависят / п и Уп от длительности импульса напряжения V, и скачок параметров наблюдается при длительности импульсов, близкой ко времени диэлектрич. В зависимости от амплитуды импульсов переключение может возникать как на переднем фронте импульса ( длительность 50 пс), так и с задержкой. В последнем случае в образце формируется канал, в к-ром пороговые условия реализуются раньше, чем в остальной части образца. Трансформация канала в токовый шнур происходит скачком, когда канал теряет флуктуац. Флуктуации электрические), а плотность тока вне канала достигает критич. Если плотность тока вне канала не достигает критич. [47]
Следовательно, характер воздействия перенапряжений на силовые полупроводниковые приборы зависит от трех параметров: крутизны фронта волны, ее амплитуды и концентрации неосновных носителей в структуре. Стойкость к воздействию перенапряжений монокристаллических полупроводниковых приборов не может быть сопоставлена с электрической прочностью изоляции другого электротехнического оборудования. Известно, что пробивное напряжение диэлектрика тем выше, чем больше скорость нарастания напряжения и меньше длительность импульса напряжения. Исходя из таких вольт-секундных характеристик определяются нормы и выбираются средства защиты в электротехнических установках и энергосистемах. Поэтому использование силовых диодов и тиристоров в установках среднего и высокого напряжения без ограничительных устройств нецелесообразно. [48]
Для пробоя характерна локализация его в отдельных точках перехода. Локализация пробоя ведет к тому, что отдельные точки перехода существенно разогреваются даже при воздействии коротких импульсов повышенного перенапряжения. Вследствие этого не допускается превышение напряжения на приборе по сравнению с предельным по справочным данным независимо от длительности импульса напряжения. [50]
Частота 8000 Гц этого источника является оптимальной и удовлетворяет требованиям, которые обусловлены шероховатостью поверхности и производительностью при обработке замка на шлицевых валах. Значительно улучшаются электрические характеристики генератора импульсов, если использовать его вместе со специально разработанным устройством-приставкой, позволяющей в широких пределах изменять длительность импульсов Ги напряжения в пределах от 0 до максимального значения. [51]
В некоторых случаях появляется необходимость наблюдения и импульсных, и однократных процессов. При наблюдении таких процессов на обычном осциллографе уменьшается яркость изображения и возникают трудности его синхронизации, поскольку величина фазового сдвига между напряжением развертки и исследуемым напряжением произвольна. По этой причине желательно использовать один период напряжения развертки, а генератор развертки запускать от исследуемого процесса. Длительность импульса напряжения развертки должна быть несколько большей исследуемого процесса, а его амплитуда должна быть достаточной для отклонения луча по всей ширине экрана. Развертка должна начинаться несколько раньше исследуемого процесса, поэтому в канале У устанавливается линия задержки, обеспечивающая запаздывание исследуемого процесса относительно импульса развертки. [52]
 |
Конденсаторный частотомер. [53] |
Схема простейшего конденсаторного частотомера изображена на рис. 68 а. Формирователь выдает импульсы, следующие с измеряемой частотой. Их длительность и напряжение постоянны и не зависят от частоты следования. На рис. 69, б показана осциллограмма напряжения на конденсаторе С. Импульсы напряжения на конденсаторе имеют несколько затянутые передний и задний фронты вследствие того, что выходное сопротивление схемы формирователя импульсов не равно нулю. Как видно из рисунка, длительность импульсов напряжения столь велика, что конденсатор успевает за это время полностью зарядиться, а за время между импульсами полностью разрядиться. [54]
Структуры из частиц АЬОз размером 3 - 5 микрон и полидисперсных частиц МдО размером 5 - 20 микрон исследовались в тлеющем разряде в воздухе. Так как длительность импульсов напряжения очень мала, то за время воздействия импульсного электрического поля смещение частиц в структуре пренебрежимо мало по сравнению со средним расстоянием между частицами. [55]
Страницы: 1 2 3 4