Кинетика - рост - кристалл
Cтраница 1
 |
Разрушение паровым пузырем двойного электрического слоя поверхности нагрева. [1] |
Кинетика роста кристаллов при высоких температурах обычно лимитируется скоростью диффузии вещества, так как скорость кристаллохимической стадии в этом случае значительно больше. Однако синхронность в образовании колец накипи и парового пузыря [9, 10] свидетельствует о том, что кристаллизация по периметру контактного пятна предопределяется кристаллохимической стадией. В случае несмачиваемой поверхности накипеобразование затруднено. [2]
Кинетика роста кристаллов карбамида из водных растворов изучена [192] в зависимости от степени охлаждения раствора, насыщенного при 40 С. [3]
 |
Зависимость свободной энергии от положения атомов или молекул, пересекающих границу раздела кристалл - жидкость. [4] |
Раньше кинетика роста кристаллов основывалась на модели, согласно которой рост кристалла происходит путем наращивания одной плоскости на другую. [5]
Изучена кинетика роста кристаллов, содержащих 0 2 % Сг и по 2 % Si, Mn. [6]
При описании кинетики роста кристаллов было установлено, что атомы, ионы или молекулы, попадающие на поверхность кристалла, обладают высокой поверхностной подвижностью. Это справедливо в равной степени и при адсорбции примесных молекул, которые обычно не остаются на месте встречи, так как обладают большой двухмерной подвижностью. Имеется множество экспериментальных доказательств поверхностной диффузии адсорбированных частиц. [7]
Для исследования кинетики роста закрепленных кристаллов используются несколько различных методик. По одной из них кристалл помещается в термостатированную кювету с неподвижным пересыщенным раствором и с помощью оптической системы [88] исследуется рост его граней. [8]
Приведенные соотношения для кинетики роста кристаллов совместно с уравнениями материальных и тепловых балансов дают возможность рассчитать параметры третьей секции кристаллизационной установки. Последующие секции рассчитываются на основе аналогичных соотношений, которые получаются из подобного же анализа. [9]
 |
Ячейки для исследования кинетики роста ( растворения кристаллов а и б - исследование закрепленных кристаллов. в - д - исследование свободных кристаллов. [10] |
Авторы работы исследовали кинетику роста кристаллов сахарозы в ячейке ( рис. 3.13, д), которая представляет собой термостатированный цилиндр со стеклянными, герметично собранными дном и крышкой. [11]
Это влияет на кинетику роста кристаллов солей жесткости на намагниченных частицах магнетита. Дальнейшие опыты показали, что при одинаковом химическом составе раствора бикарбоната кальция после магнитной обработки кристаллизация на частицах магнетита происходит со значительно большей скоростью, чем на таких же частицах кальцита [ 19, с. В этой работе М. Л. Михельсон описывает один из возможных, по-видимому, частных механизмов воздействия магнитной обработки на процесс кристаллизации. [12]
 |
Влияние обработки кислых растворов магнитным полем разной напряженности на относительные размеры кристаллов гипса. [13] |
Это влияет на кинетику роста кристаллов солей жесткости на намагниченных частицах магнетита. Дальнейшие опыты показали, что при одинаковом химическом составе раствора бикарбоната кальция после магнитной обработки кристаллизация на частицах магнетита происходит со значительно большей скоростью, чем на таких же частицах кальцита [ 24, с. Еще предстоит выяснить и роль заряженных микрочастиц немагнитных примесей. [14]
 |
Схема кристаллизации атома при адсорбции и диффузии на поверхности. Кромка в направлении. Плотноупакованный гране-центриро ванный кубический кристалл, грань ( 111 (. [15] |
Страницы: 1 2 3