Кинетика - фотопроводимость
Cтраница 1
Кинетика фотопроводимости для двух пленок р - РЬТе представлена на рис. 3.18. Обращают на себя внимание медленные процессы нарастания и спада фотопроводимости, а также остаточная проводимость после выключения света. Изменения во времени других коэффициентов ( и, a, Q) имеют тот же характер, что и изменения а. В то же время степень влияния света на разные эффекты неодинакова и зависит от уровня легирования. В подобных объектах наблюдается также су - щественная разница влияния света на а и и. В них отсутствует заметная компенсация электрически активных примесей; по способу изготовления в них трудно ожидать крупномасштабных флюктуации состава. Что касается слоистых неоднородности ( см. разд. [1]
Кинетика фотопроводимости в ХСП характеризуется быстрой и медленной компонентами фотоответа. [3]
Кинетика фотопроводимости для двух пленок р - РЬТе представлена на рис. 3.18. Обращают на себя внимание медленные процессы нарастания и спада фотопроводимости, а также остаточная проводимость после выключения света. Изменения во времени других коэффициентов ( R a Q) имеют тот же характер, что и изменения а. В то же время степень влияния света на разные эффекты неодинакова и зависит от уровня легирования. Наиболее чувствительны к подсветке в пленках с р 1019 см-3 коэффициенты а и Q. В подобных объектах наблюдается также су щественная разница влияния света на а и R. В них отсутствует заметная компенсация электрически активных примесей; по способу изготовления в них трудно ожидать крупномасштабных флюктуации состава. Что касается слоистых неоднородностей ( см. разд. [4]
 |
Изменение фото-э. д. с. в поли-и-диэтинилазобензоле ( в произвольных единицах в зависимости от времени освещения ультрафиолетовым светом лампы СВД-120.| Кривые спектрального распределения. [5] |
Исследование кинетики фотопроводимости методом тауметра показало [2], что ее релаксация следует гиперболическому закону AatAo0 / ( l - at), где Аст0 - максимальная фотопроводимость, достигнутая перед затемнением образца. [6]
Рис 5 29 Кинетика фотопроводимости 1 - в полидоменноч, 2 - в моно-домениаированном выше точки Кюри; 3 -в монодоменизированном при 160 С кристаллах НБН [44] Стрелками отмечены начало и конец периода освещения кристалла. [7]
Потапенко, Исследование кинетики фотопроводимости компенсационным методом, Изв. [8]
Таким образом, в общем случае кинетика фотопроводимости описывается нелинейным уравнением. [9]
Данные, обычно получаемые при исследовании кинетики фотопроводимости, могут быть удовлетворительно интерпретированы лишь в простых случаях. [10]
В работах Нелсона [19 - 21], посвященных изучению кинетики фотопроводимости в слоях кристаллического фиолетового, родамина В и фуксина, были найдены некоторые дополнительные закономерности этого явления. Нелсон обнаружил, что при температурах ниже 60 С скорость спада в течение нескольких первых секунд больше, чем скорость для остального участка спада. Этот эффект становится более выраженным при понижении температуры. Если перед затемнением было достигнуто стационарное значение фотопроводимости, то константа скорости k сама зависит от величины стационарной фотопроводимости, а именно, k тем больше, чем меньше сг0, причем эта зависимость в свою очередь усиливается при понижении температуры. Было обнаружено также, что скорость падения фотопроводимости в темноте от данного значения а, достигнутого при освещении, существенно зависит от того, были ли это значение а стационарным или нет. [11]
Поскольку теория метода соответствует стационарным условиям, а кинетика фотопроводимости и кинетика фотомагнитной ЭДС могут отличаться, при измерениях должна фиксироваться компенсация в стационарных условиях. Это налагает ограничение на частоту модуляции света: длительности световых импульсов и промежутков между ними ( или период при синусоидальной модуляции) должны существенно превосходить время установления фотопроводимости и фотомагнитной ЭДС. [12]
Так, например, при исследовании спектров и кинетики фотопроводимости в весьма чистых ( и легированных, золотом) кристаллах Ge, облучаемых быстрыми электронами ( g fss 1 МэВ), в работе [293] надежно определена физическая природа уровней D - f - 0 36 и 0 42 эВ, возникающих в объеме Ge при этих условиях. Результатами работы [293] экспериментально обосновано высказанное в [311] предположение о том, что уровень gB 0 36 эВ принадлежит вакансии. Причиной появления уровня g0 0 42 эВ [293] являются атомы внедрения. Эта мысль экспериментально обоснована в серии следующих опытов с весьма чистыми кристаллами Ge: закаляемыми от высоких температур и содержащими дислокации; свободными от дислокаций; легированными примесью золота. [13]
 |
Структурная схема метода модуляции проводимости. [14] |
К нестационарным методам относятся: метод модуляции проводимости, кинетика фотопроводимости ( затухание фотопроводимости, фазовый и частотный методы), кинетика ФЭМ-эффекта, метод движущегося светового зонда. [15]
Страницы: 1 2