Кинетика - фотопроводимость
Cтраница 2
Иными словами, изучение стационарной фотопроводимости, характерное для более раннего периода, все в большей степени заменяется изучением кинетики фотопроводимости. [16]
Таким образом, правые части равенств (3.8) и (3.9) тождественно равны; при длинноволновом возбуждении кинетика изменения световой суммы CdS полностью совпадает с кинетикой фотопроводимости. [17]
 |
Зависимость стационарной концентрации электронов в зоне проводимости ( кривая / и на уровне § с - 0 4 эв в CdS ( кривая 2 от интенсивности света ( X 0 52 мк при температуре 100 К. [18] |
Заметим, что техника зондирования ( с использованием скользящего импульса) может быть использована не только для длинноволнового зондирования, но также при решении других вопросов, связанных с кинетикой фотопроводимости. [19]
Значительно более высокая концентрация междоузельных атомов по сравнению с концентрацией вакансий является следствием большой эффективности взаимодействия вакансий с примесными атомами, что также проявляется в опытах по фотопроводимости облученных кристаллов [390], Итак, совокупность приведенных результатов убедительно показывает, что уровень v 0 36 эВ связан с вакансией, a gD 0 42 эВ - с междоузельным атомом. Анализ кинетики фотопроводимости, связанной с этими уровнями, позволил определить для них сечения захвата дырок, которые ( при Т да 100 К) соответственно равны: ар ( 0 36) да 1 5 Ю-16 сма и Op ( gp 0 42) да 3 0 10 - 17 см2, а эффективности введения этих уровней ( полученные в [390] на основании сведений о сечениях захвата дырок) в пределах погрешностей экспериментов оказались совпадающими. [20]
Очевидно, что в условиях такого постоянства чувствительности индуцированная примесная фотопроводимость может изучаться теми же методами, что и нормальная примесная фотопроводимость. В частности, изучая кинетику индуцированной фотопроводимости, можно, как это показано в § 42, определить такие параметры примесных центров, как сечения захвата центрами электронов ( дырок), фотонов, концентрацию центров и степень их заполнения в результате предварительной собственной подсветки. [21]
 |
Кривые нарастания и спада фототока в случае квадратичной рекомбинации при импульсном освещении образца. [22] |
Разумеется, приведенные нами рассуждения чрезвычайно упрощены. На самом деле, на величину и кинетику фотопроводимости большое влияние оказывают ловушки, обусловленные примесями и дефектами кристаллической решетки. [23]
 |
Фотосопротпв-1 - светочув-слой, 2 - ме-таллич. электроды, 3 - диэлектрич. подложка. [24] |
Ag), однако у большинства полупроводниковых материалов этот эффект мал и его практически невозможно использовать. Изменение проводимости о полупроводника при освещении определяется ф-лой: Дсг ef ( и пт - f - ipTp), где е - заряд электрона, / - число электронно-дырочных пар, генерируемых в сек в ед. Отсюда видно, что времена жизни свободных носителей заряда определяют кинетику фотопроводимости. В полупроводниках, из к-рых оказалось возможным изготовить Ф, носители обладают достаточно большим временем жизни. [25]
Страницы: 1 2