Указанная аппроксимация

Cтраница 1

Указанная аппроксимация возможна лишь в ограниченной области, находящейся в некотором удалении от точки максимума или минимума. [1]

Геометрия аппроксимированной срединной поверхности замкнутой оболочки вращения и положительные направления внутренних силовых факторов в сечении z.| Схемы определения геометрических параметров срединной поверхности характерных конусных участков аппроксимированной тонкостенной оболочки. [2]

Указанная аппроксимация срединной поверхности приводит к существенному сокращению объема вычислительных операций и позволяет создать единый алгоритм численного расчета оболочек вращения переменной жесткости со сложной геометрией, в том числе при наличии разрывов в образующей срединной поверхности. При этом толщину и механические характеристики принимают постоянными в окружном направлении: h ( si6i) / z ( s -), Et ( SjOf) E ( SJ), ar ( sr - 0 -) at ( s -); материал оболочки в каждом коническом элементе считают изотропным. [3]

Геометрия аппроксимированной срединной поверхности замкнутой оболочки вращения и положительные направления внутренних силовых факторов в сечении ц.| Схемы определения геометрических параметров срединной поверхности характерных конусных участков аппроксимированной тонкостенной оболочки. [4]

Указанная аппроксимация срединной поверхности приводит к существенному сокращению объема вычислительных операций и позволяет создать единый алгоритм численного расчета оболочек вращения переменной жесткости со сложной геометрией, в том числе при наличии разрывов в образующей срединной поверхности. При этом толщину и механические характеристики принимают постоянными в окружном направлении: h ( sidi) h ( sf), Et ( s - 0 -) E ( s (), at ( s - 0 -) f С. [5]

При указанной аппроксимации дискретным постоянный источник U х заменяется на дискретный постоянный источник UY, выбирающий сообщения из ансамбля У. [6]

Использование указанной аппроксимации функции са ( у) означает, что в условиях перехода от покоя к установившемуся сдвиговому течению при у const в полимерных системах происходят такие изменения, при которых исчезают элементы структуры, ответственные за релаксационные процессы, совершающиеся с частотами по порядку величины меньшими, чем заданный градиент скорости. [7]

Следовательно, указанная аппроксимация описывает заданную функцию с достаточной точностью при значениях х, близких к XQ, и менее точно - при значениях, близких к границам интервала. Очевидно также, что наиболее точно функция описывается в одной точке X XQ, где совпадают не только обе функции, но и их производные. [8]

Метод построения указанных аппроксимаций ( с использованием проекции тгм) называют методом наименьших квадратов. [9]

Безусловно, там, где сходимость кривой разделения и суммарной кривой нормального распределения получается статистически обоснованной, имеет смысл воспользоваться указанной аппроксимацией. Однако этот факт еще не дает никаких оснований для широких обобщений. [10]

Свойство 3 означает, что тгм ( ж) - наилучшая аппроксимация ( оценка) элемента ж элементами из подпространства М, а ж - тгм ( ж) представляет собой ошибку указанной аппроксимации. [11]

Нетрудно убедиться, что даже для циклонов к. Этот недостаток указанной аппроксимации усугубляется при распространении ее на оценку эффективности сепараторов с учетом аномалий их к. [12]

Отметим, что в некоторых случаях мол о использовать ступенчатые или разрывные аппроксимации заведомо непрерывных распределений параметров в ячейке. Это допустимо, если указанные аппроксимации будут использованы только при интегрировании по объему фазы в ячейке. [13]

Вольт-амперные характеристики диода. [14]

Однако зачастую удобно в расчетах пользоваться кусочно-линейной аппроксимацией нелинейных характеристик. На рис. 1.16 приведены наиболее широко применяемые эквивалентные схемы, соответствующие указанной аппроксимации, а также эквивалентная схема, отражающая нелинейность параметров. Идеальный диод ( рис. 1.16, а) представляется идеальным ключом, который замкнут при открытом состоянии диода и разомкнут при управляющем напряжении противоположной полярности U. [15]

Страницы: 1 2