Тепловое колебание - решетка
Cтраница 2
Дефекты образуются в результате тепловых колебаний решетки неизбежно и закономерно. Из термодинамики следует, что концентрация дефектов в расчете на 1 моль равна п nAe - wlhT, где ПА 6 02 - 1023 моль-1 - число Авогадро; k - постоянная Больцмана; w - энергия образования дефекта; Т - абсолютная температура, при которой выращивался кристалл. [16]
Механизм Кронинга-Ван - Флекса связывает тепловые колебания решетки с появляющимся электрическим внутрикристаллическим полем, которое посредством спин-орбитального взаимодействия вызывает переходы в спиновой системе. [17]
Часть энтропии, связанная с тепловыми колебаниями решетки, заштрихована. Сплошная кривая отвечает значению энтропии в нулевом поле. [18]
При рассеянии невырожденного электронного газа тепловыми колебаниями решетки имеются два фактора, определяющих температурную зависимость электронной подвижности: первый из них действует непосредственно, поскольку интенсивность тепловых колебаний увеличивается с температурой; второй - косвенно, так как средняя длина свободного пробега электрона I зависит от его энергии, а средняя энергия невырожденного полупроводника пропорциональна температуре. [19]
 |
Зонная диаграмма полу - мньшая. ч Для разрыва КОВалвНТ-проводника р-типа нои связи. В германии и кремнии для. [20] |
Незавершенная связь - дырка за счет тепловых колебаний решетки будет совершать хаотическое движение в пределах кристалла. [21]
Пейерлс показал, что рассеяние на тепловых колебаниях решетки обусловлено взаимодействием фононов. Главную роль при этом играют такие взаимодействия, при которых либо уничтожение двух фононов приводит к возникновению одного нового или, наоборот, уничтожение одного приводит к возникновению двух новых. Оба эти процесса проходят с изменением суммарного импульса фононов. [22]
Кроме того, в кристалле всегда имеются тепловые колебания решетки, которые нарушают равенство расстояний между атомами. Эти причины приводят к тому, что электроны рассеиваются или захватываются примесями. [23]
При сжатии уменьшается атомный объем и амплитуда тепловых колебаний решетки, что является основной причиной уменьшения сопротивления. [24]
Эта порция, или - квант энергии тепловых колебаний решетки, называется фононом по аналогии с квантом электромагнитного излучения - фотоном. Эта аналогия прослеживается и. С точки зрения квантовой теории равновесное тепловое излучение рассматривается как газ, образованный квантами света - фотонами, обладающими энергией Е - hv Нк и импульсом р На / с - Л / А, где с - скорость света. [25]
Ниже мы рассмотрим отдельно механизмы рассеяния электронов тепловыми колебаниями решетки, нейтральными примесями, ионами примесей и дефектами решетки. [26]
 |
Температурная зависимость удельного сопротивления р меди и ее сплавов ( иллюстрация правила Маттиссена. [27] |
Слагаемое рчист обусловлено рассеянием носителей заряда на тепловых колебаниях решетки, а рпрнм - рассеянием на ионах примеси. [28]
Рассмотрим основные из механизмов рассеяния - на тепловых колебаниях решетки и ионизированных примесях, учитывая, что первый из них является определяющим при высоких, а второй - при низких температурах. [29]
Страницы: 1 2 3 4