Cтраница 4
Перешедшие в свободную зону электроны, приходя в равновесие с тепловыми колебаниями решетки, располагаются у нижнего края свободной зоны, занимая уровни с наименьшими энергиями, независимо от своего происхождения. Каждый из этих электронов обладает одинаковой вероятностью возвратиться в одно из свободных состояний с меньшей энергией в основной зоне или на уровнях примеси. Число таких свободных состояний равно числу п перешедших с них в свободную зону электронов. [46]
Следует указать еще на один важный механизм взаимодействия света с тепловыми колебаниями решетки - при рассеянии света на фононах. Проходя по кристаллу, фотон может изменить свою энергию и импульс за счет взаимодействия с колебаниями решетки. Фотон при этом не поглощается полностью, а только передает частично свою энергию и импульс решетке. [47]
![]() |
Спектр отражения CdS при рассеянии излучения аргонового лазера. Часть излучения создает электронно-дырочные пары и вызывает люминисценцию. [48] |
Следует указать еще на один важный механизм взаимодействия света с тепловыми колебаниями решетки - при рассеянии света на фононах. Проходя по кристаллу фотон может изменить свою энергию и импульс за счет взаимодействия с колебаниями решетки. Фотон при этом не поглощается полностью, а только передает частично свою энергию и импульс решетке. [49]
Следует указать еще на один важный механизм взаимодействия света с тепловыми колебаниями решетки - при рассеянии света на фононах. Проходя по кристаллу, фотон может изменить свою энергию и импульс за счет взаимодействия с колебаниями решетки. Фотон при этом не поглощается полностью, а только передает частично свою энергию и импульс решетке. [50]
В области высоких температур основное значение имеет рассеяние электронов на тепловых колебаниях решетки - на фононах. Поэтому средняя длина свободного пробега электронов должна быть обратно пропорциональна концентрации фононного газа: Я те 1 / Пф. [51]