Количество - отражение
Cтраница 2
В предыдущей главе была рассмотрена связь между расположением атомов в кристалле и значениями структурных амплитуд отдельных отражений. Однако количество отражений, даваемых кристаллом, может достигать нескольких тысяч, тогда как число параметров, их определяющих - координат атомов-обычно не превышает нескольких десятков. Решение этого вопроса возможно лишь на базе статистических законов. Поэтому в первом параграфе данной главы приводится материал по теории статистики структурных амплитуд, необходимый для дальнейшего изложения. [16]
Поэтому единственно правильным путем уменьшения искажений, связанных с обрывом ряда Фурье, является переход на более коротковолновое излучение. Увеличивая количество отражений, экспериментатор стремится достичь такого интервала интенсивностей, при котором отражения под большими углами & были бы исчезающе слабы даже при обычной температуре и без введения поправочного множителя. [17]
Принципиально восстанавливающееся напряжение можно рассчитать с учетом любого количества отражений, так как характеристическое уравнение всегда получается в виде произведения двучленов первой степени. Вследствие быстрого возрастания громоздкости вычислений с увеличением количества учитываемых отражений учет большого их количества практически возможен лишь при использовании вычислительных машин. [18]
В структурном анализе коэффициентами членов ряда являются амплитуды F ( hkl) или структурные факторы F ( hkt) 2 ( в случае межатомной функции-см. Поэтому размеры искажений, связанных с обрывом ряда, определяются количеством учитываемых отражений и скоростью убывания амплитуд отражений с увеличением угла и. Первое зависит от длины волны лучей, второе-от индивидуальности исследуемого соединения и температуры опыта. [19]
Если внутренняя поверхность листа покрыта клеевой пленкой, то импульсы УЗК отражаются от этой пленки с заметными потерями, быстро затухая. При отсутствии адгезии клея 3 с наружным листом потери при отражении резко уменьшаются, а количество отражений в листе заметно возрастает. Если соединяемый с л истом 2 матер нал 4 хорошо приводит упругие колебания ( металл), то импульсы УЗК, проходя сквозь клеевую пленку, входят в материал, достигают его противоположной поверхности, отражаются и возвращаются обратно к головке, образуя сигналы, аналогичные данным сигналам в ультразвуковом эхометоде. [20]
 |
Схема контроля методом многократных отражений.| Изображение на экране дефектоскопа при работе по методу многократных отражений. [21] |
Если внутренняя поверхность листа покрыта клеевой пленкой, то импульсы ультразвуковых колебаний отражаются от этой пленки с заметными потерями, быстро затухая. При отсутствии) адгезии клея 3 к наружному листу потери при отражении резко уменьшаются, а количество отражений в листе заметно возрастает. [22]
Радиосигналы, несущие информацию о времени, распространяются по траектории между ионосферой и землей и претерпевают определенные задержки. Для точного определения длины траектории распространения кроме координат приемной и передающей станций необходимо знать среднюю высоту ионосферного слоя в момент сличения и количество отражений принимаемого сигнала. Максимальное расстояние, которое перекрывает ра - - А диосигнал с одним отражением от ионосферы ( от слоя F2), равно 4000 км. Сигналы, отраженные от слоя Е, принимают только в дневное время, и их прием ограничен траекторией с одним отражением на расстоянии до 2400 км. В некоторых точках Земли возможен прием сигналов, отраженных и от других слоев ионосферы. [23]
Опыт показывает, что соотношение ( 87), как правило, выполняется при 20 - 30 членах в сумме. Суммы должны включать лишь такие отражения, для которых условие F ( hkl) [ Fx ( hkl) заведомо соблюдается. Количество отражений будет тем больше, чем больше процент атомов, координаты которых уже определены, и чем больше их атомные номера. При исследовании структур, содержащих атомы с одинаковой рассеивающей способностью, этот метод приведения можно плодотворно использовать лишь тогда, когда найдено расположение более половины атомов. [24]
Обычно в качестве определяющей функции ср ( F) берутся либо модули структурных амплитуд, либо квадраты их модулей - структурные факторы. РЭ) является определенной заданной нам величиной, p ( Fe) - - величиной, зависящей от координат, приписанных атомам. Если количество отражений равно числу параметров структуры 3N, можно составить систему 3N условий ср ( Fэ) р ( Fe) и на этой основе искать координаты атомов. [25]
Для развития прикладных аспектов зонального метода большое значение имела разработанная А. Э. Клеклем и С. Д. Дрейзин-Дудченко методика расчета коэффициентов радиационного обмена между зонами, основанная на методе статистических испытаний. Эта методика, реализованная в виде эффективной вычислительной программы для ЭВМ, позволяет проводить зональные расчеты в оптически неоднородной среде с учетом диффузного и зеркального отражений с помощью трехмерной объемной прямоугольной сетки различной конфигурации. Эксперимент считается законченным, когда энергия луча в результате прохождения через поглощающую среду и поглощения поверхностными зонами достигнет заданной пренебрежимо малой величины. В зависимости от оптической плотности среды и поглощательной способности поверхностей длительность единичного испытания может быть различной в результате того или иного количества отражений луча от ограничивающих поверхностей. [26]
Хорошим методом исключения вторичной экстинкции является корректировка интегральной интенсивности самых ярких отражений от монокристалла по данным, полученным методом порошка. В поликристаллическом образце кристаллики распределены по ориентациям беспорядочно и при достаточно большой дисперсности вторичная экстинкция отсутствует. Правда, дебаеграмму, снятую с низкосимметричного кристалла с большой по размеру элементарной ячейкой, полностью проиндицировать невозможно. Нас, однако, интересуют только самые яркие отражения, а они, во-первых, резко выделяются на рентгенограмме, а во-вторых, чаще всего располагаются при малых &, где количество отражений сравнительно невелико. [27]
Как узнать, имеется ли хотя бы самое слабое отражение икс-лучей от поверхности тел. Всякий другой физик, поставив этот вопрос, попытался бы решить его с помощью более точных приборов: если те грубые приборы, которыми он обладал, не позволяют обнаружить отражения, то, может быть, другие, более точные, позволят это сделать. У него, однако, было нечто более ценное, чем любые приборы, - он в совершенстве владел техникой эксперимента. Он рассуждал: если лучи неизвестного характера в какой-то ничтожной степени все же отражаются, то, чем больше будет поверхностей отражения, тем это будет очевиднее. Количество отражений в мелком стеклянном порошке, вследствие значительного увеличения числа отражающих поверхностей, будет чрезвычайно велико, значит, и эффект отражения значительно увеличится. Убедившись, что любое размельчение стекла, дающее миллионы отражений, нисколько не влияет на количество отраженных лучей, Рентген пришел к заключению, что отражения на границе стеклянной поверхности не происходит. Дальше он доказал, что эти лучи не создают магнитного поля и не испытывают влияния электрического поля. [28]
 |
Фотометрические кривые рентгенограмм с образцов катализатора, прокаленного при различных температурах. [29] |
На рис. 4 приведены фотометрические кривые рентгенограмм с образцов катализатора, прокаленного при различных температурах. Из данных таблицы и рис. 4 видно, что в катализаторе, прокаленном в токе водорода при 425 С, изменений практически не происходит. Начиная с образца, прокаленного при 450 С и более высокой температуре, дополнительно появились линии, соответствующие хромиту цинка ( шпинели) и соединению ZnO-CraOs с межплоскостными расстояниями 2 92; 2 50; 2 07; 1 31; 1 25 и 1 19 А. Кроме того, усиливаются отражения под другими углами для этих же веществ. Количество линий, характерных для хромита цинка, увеличивается, и их оптическая плотность становится более интенсивной. Параллельно с этим для окиси хрома количество отражений и их оптическая плотность уменьшаются. Широкие и размытые линии становятся более четкими. [30]
Страницы: 1 2 3