Cтраница 1
Количество диффундирующего вещества m пропорционально коэффициенту диффузии D и зависит от градиента концентрации dc / dx элемента в направлении, нормальном к поверхности раздела. [1]
Для расчета количества диффундирующего вещества из турбулентного потока к твердой поверхности в теории турбулентности введено понятие ламинарного подслоя, в котором перенос вещества предполагается только молекулярной диффузией. В прилегающем к ламинарному подслою турбулентном пограничном слое предполагается, что молекулярная диффузия не играет роли и перенос вещества происходит только вследствие турбулентных пульсаций. В основной части турбулентного потока вследствие интенсивного перемешивания предполагается, что концентрации вырав-нены. [2]
В краевых задачах диффузии количество диффундирующего вещества и его концентрация играют такую же роль, как количество тепла и температура в краевых задачах теории теплопроводности. [3]
На появление н развитие диффузионной пористости влияет количество диффундирующего вещества ( основы) или депрессанта припоя. При различных основах припоя и паяемого металла количество диффундирующего вещества велико; при одинаковой их основе количество диффундирующего вещества депрессанта меньше. [4]
Из приведенной формулы легко видеть, что коэфициент диффузии численно равен количеству диффундирующего вещества, проникающего за единицу времени через единицу поверхности при условии, что разность концентраций на двух поверхностях, отстоящих друг от друга на единицу длины, равна единице. [5]
![]() |
Схема однонаправленной диффузии молекул В ( на пути s. [6] |
Интегрирование этого уравнения проведем, полагая, что коэффициент диффузии DB, количество диффундирующего вещества GB и сумма концентраций обоих веществ СА СВСО являются постоянными величинами. [7]
Из приведенных формул легко видеть, что коэффициент диффузии D численно равен количеству диффундирующего вещества, проникающего за единицу времени через единицу поверхности при условии, что разность концентраций на двух поверхностях, отстоящих друг от друга на единицу длины, равна единице. [8]
Напишите математическое выражение 1-го закона Фика, пользуясь следующими обозначениями: п - количество диффундирующего вещества, моль; D - коэффициент диффузии; С - концентрация; х - расстояние, на котором происходит диффузия; 5 - поверхность диффузии; т - время. [9]
При железнении в проточных растворах с увеличением интенсивности перемешивания величина диффузионного пограничного слоя уменьшается, а количество диффундирующего вещества ( ионов) возрастает. Интенсивность перемешивания, как и другие условия, электролиза в определенных пределах поддаются регулированию. Следовательно, основные физико-механические свойства покрытий и производительность процесса осаждения металлов становятся управляемыми. В условиях злектроосаждения железа в протоке внешний вид и шероховатость покрытий улучшаются, уменьшается слоистость осадков и количество попадаемых в них примесей, в тем числе водорода, что приводит к гк / нижению трещиноватости покрытий. [10]
Практически в работающих реакторах всегда происходит перемешивание, поэтому наиболее точно суммарный коэффициент диффузии Оэ или же количество G диффундирующего вещества определяют опытным путем, а затем эти данные переносят на моделируемый процесс с помощью критериальных уравнений. [11]
Практически в работающих реакторах всегда происходит перемешивание [27], поэтому наиболее точно суммарный коэффициент диффузии Оэ или же количество G диффундирующего вещества определяют опытным путем, а затем опытные данные переносят на моделируемый процесс с помощью критериальных уравнений. [12]
Применяя пленочную теорию в первоначальном или только что описанном, более усложненном виде, можно всегда свести задачу определения количества диффундирующего вещества к расчету суммарного коэффициента массообмена, используя известный прием определения суммарного коэффициента теплопередачи. [13]
![]() |
Зависимость [ по ур. ( 2. 253 после интегрирования ] концентраций с потребляемого вещества S от расстояния от поверхности электрода ( за. [14] |
Вследствие этого вещество S диффундирует из реакционного слоя к поверхности. Количество диффундирующего вещества S, а следовательно, и градиент концентрации dc / d, все более увеличивается по мере приближения к поверхности электрода и, наконец, при 1 0 принимает значение, соответствующее плотности тока i. С другой стороны, вдали от реакционного слоя градиент концентрации стремится к нулю. [15]