Компенсация - заряд
Cтраница 1
Компенсация зарядов, освобождающихся за счет анодного процесса М2 - Mg пе, будет проходить за счет их потребления наиболее электроположительной катодной реакцией М ne - - Mi. [1]
Компенсация заряда междуузельных анионов осуществляется электронными дырками. [2]
Для компенсации заряда, теряемого на паразитной емкости, целесообразно параллельно измеряемому диоду включить конденсатор емкостью 0 5 - 1 пф, заряд которого создаст необходимое превышение над паразитным отрицательным зарядом схемы. Все эти меры позволяют получить разрешающую способность в измерении заряда переключения порядка 1 5 пк. [3]
Для компенсации зарядов при трении о хлопок требуется 75 % нейлона и 25 % дакрона. [4]
Для компенсации заряда потенциалоопределяющих ионов вблизи межфазной границы находятся противо-ионы жидкости, причем первый слой или даже несколько первых слоев противоионов притягиваются к частице под влиянием как электрического поля, так и - поля адсорбционных сил. В результате этого часть противоионов удерживается поверхностью на очень близком расстоянии порядка одной-двух молекул. Остальные противоионы, необходимые для компенсации потенциалоопределяющих ионов, в результате теплового движения образуют диффузную ( размытую) часть двойного электрического слоя. [5]
Принцип компенсации заряда можно рассматривать как частную формулировку более общего принципа компенсации валентности, вытекающего из свойства элементов соединяться друг с другом в определенных отношениях. Чтобы пояснить это, вернемся к рассмотрению фосфоров на основе сульфида цинка, связи в решетке которого являются в большей степени ковалентными, нежели ионными. Встраивание в его узлы равного числа атомов меди и хлора эквивалентно растворению в нем CuCl. Оба вещества - основание люминофора ZnS и соединение активатора CuCl - обладают однотипной химической формулой MX. Это является отражением того факта, что соотношение между числами атомов образующих их элементов одинаково. Поэтому при образовании смешанных кристаллов правильное расположение атомов в узлах решетки не нарушается и не появляются ни вакансии, ни ионы в междоузлиях. В кристаллохимии это называется гетеровалентным замещением. Отметим, что образованию твердого раствора CuCl в ZnS благоприятствует также близость размеров атомов этих соединений и сходный тип связи. [6]
Представление о компенсации заряда играет важную роль в физической химии многих кристаллофосфоров. Доказано, например, что во фторидах щелочноземельных металлов, активированных редкими землями, роль соактиватора может играть кислород. В галофосфате кальция ЗСа3 ( РО4) 2Х X Ca ( F, Cl) 2Mn, Sb ион Sb3 замещает Са2 при одновременном замещении иона галоида кислородом. [7]
В условиях равновесия существует компенсация зарядов: п - Ь / Уар-НУд, где Na и NK - соответственно концентрации акцепторов и доноров, и предполагается, что все примеси ионизированы. [8]
Это обстоятельство связано с необходимостью компенсации заряда избыточного электрона, в тетраэдрических труппах АЮ / 2, в которых А1, имея только три собственных валентных s, р-элект-рона, образует равноценные парноэлектронные связи с каждым из четырех окружающих его кислородов за счет привлечения одного дополнительного электрона. [9]
На границе диэлектрика, однако, компенсации зарядов не происходит. При этом на поверхности, обращенной к отрицательной пластине, возникают некомпенсированные положительные заряды, а на поверхности, обращенной к положительной пластине, - отрицательные заряды. [10]
При инжекции дырок в базу электроны для компенсации заряда дырок могут входить не только из вывода базы, но и из коллектора через канал утечки. [12]
 |
Межионные расстояния, 10 - 1 нм, до ближайших соседей при 673 К из данных по дифракции. [13] |
Примечание, а - ионы, непользуемые для компенсации заряда. [14]
 |
Дативная я-связь. [15] |
Страницы: 1 2 3 4