Cтраница 1
![]() |
Сверхтонкое расщепление двухвалентного 67Fe, получающегося при распаде двухвалентного 67Со в NaF. Спектры состоят из дублетов с общим центром тяжести. [1] |
Зарядовая компенсация двухвалентного замещающего иона кобальта в NaF достигается наличием вакансий ионов натрия. [2]
Резонансные структуры диазоалканов, рассмотренные нами ранее, облегчают выявление достаточно полной зарядовой компенсации. С) [279] согласуются с этим выводом. [3]
Резонансные структуры диазоалканов, рассмотренные нами ранее, облегчают выявление достаточно полной зарядовой компенсации. Дипольные моменты дифенил-диазометана - 1 42Z) и этилдиазоацетата - 2 Q3D ( в бензоле при 25 С) [279] согласуются с этим выводом. [4]
![]() |
Обобщенная модель фоторефрактивного эффекта. [5] |
Соответственно происходит пространственное перераспределение концентраций неподвижных носителей заряда, что приводит к нарушению первоначальной зарядовой компенсации. В результате возникает поле пространственно перераспределенных зарядов. [6]
Спектры магнитного резонанса ионов урана, внедренных в CaF2, и сходные с ним кристаллы в результате зарядовой компенсации наряду с кубической симметрией обнаруживают тетрагональную или тригональную симметрию. [7]
ЭПР, так же как и электронная микроскопия высокого разрешения, показывает, что укоренившиеся представления о дефектах структуры и о типе зарядовой компенсации в окислах переходных элементов слишком примитивны и требуют пересмотра. Из спектров ЭПР парамагнитных примесей в высших окислах переходных элементов следует, что мы не можем предсказать с достоверностью ни положение примеси в структуре, ни ее валентное состояние, ни то, каким образом окажется обеспечена электронейтральность в кристалле. Как ионное приближение, так и ковалентное недостаточны для описания свойств окислов переходных элементов. Очевидно, в будущем должна быть создана новая теория, учитывающая промежуточный характер связи при периодичности решетки кристалла и различной степени ковалентности в различных кристаллографических положениях. [8]
Известно, что ионы Fe2 и Fe3 занимают одни и те же позиции в кристаллической решетке, например, замещая ионы лития в LiNbOs - Вследствие условий зарядовой компенсации происходит их некоторое смещение вдоль оси поляризации относительно положений ионов лития. Ионы Fe2 являются донорными, а ионы Fe3 - акцепторными центрами. В результате возникает пространственное перераспределение зарядов ионов железа, приводящее к возникновению сильного гальванического поля, направленного навстречу полю спонтанной поляризации. [9]
В обоих случаях различие в зарядовых состояниях диффундировавших ионов по отношению к структурным или примесным ионам приводит к генерации свободных электронов из вакансионных центров, которые создают зарядовую компенсацию процесса вышеуказанного замещения. При двухсторонней диффузии поле Ед будет антипараллельно полю спонтанной поляризации вблизи ( 7 полярной поверхности, где и происходит переключение поляризации. [10]
![]() |
Зависимости магнитной проницаемости от температуры. для ферритов серии Ba3Co2H. xTix. Fe24 - O41 при х0 ( 1, 0 3 ( 2, 0 5 ( 3, 0 75 ( 4, 1 2 ( 5. [11] |
Таким образом, создание многокомпонентных феррокспла-нов, содержащих четырехвалентные ионы, позволяет существенно расширить интервал рабочих температур. Поскольку для зарядовой компенсации использовались ионы Со2, усиление склонности к плоскостной анизотропии, видимо, связано с возрастанием общего количества ионов Со2 в составе. [12]
Наиболее распространенным типом изоморфизма в цементных минералах, как и в природных, является гетеровалентный, диагональный изоморфизм. Замещения в анионной части структуры также усложняются необходимостью зарядовой компенсации. Как правило, пределы растворимости компонентов твердых растворов в трехкальциевом силикате весьма ограничены. [13]
Радиационные германиевые центры были впервые описаны для кристаллов кварца, выращенных в щелочном ( натриевом) растворе, в который была введена примесь оксида германия. Позднее центры, связанные с германием и имеющие различные типы зарядовой компенсации, были получены путем электролиза, а также в кристаллах кварца, выращенного во фторндных системах. В дальнейшем были выращены кристаллы, обогащенные изотопом 73Ge, и, кроме того, число описанных германиевых центров увеличивалось в результате реакторного облучения. Многообразие германиевых центров обусловлено тем, что, несмотря на нзозарядовый изоморфизм, вхождение ионов германия вместо ионов кремния сопровождается образованием в кристаллической решетке микрообластей с локальным избытком положительного заряда. Из-за различия в экранировке ядер германия и кремния такие области являются ловушками электронов. Li) и германиево-водородно-лнтиевые центры были получены при замещении ионов натрия в кварце путем электролиза соответствующими ионами. [14]
Радиационные германиевые центры были впервые описаны для кристаллов кварца, выращенных в щелочном ( натриевом) растворе, в который была введена примесь оксида германия. Позднее центры, связанные с германием и имеющие различные типы зарядовой компенсации, были получены путем электролиза, а также в кристаллах кварца, выращенного во фторндных системах. В дальнейшем были выращены кристаллы, обогащенные изотопом 73Ge, и, кроме того, число описанных германиевых центров увеличивалось в результате реакторного облучения. Многообразие германиевых центров обусловлено тем, что, несмотря на нзозарядовый изоморфизм, вхождение ионов германия вместо ионов кремния сопровождается образованием в кристаллической решетке микрообластей с локальным избытком положительного заряда. Из-за различия в экранировке ядер германия и кремния такие области являются ловушками электронов. LJ) и германиево-водородно-лнтиевые центры были получены при замещении ионов натрия в кварце путем электролиза соответствующими ионами. [15]